Справочник MOSFET. BSZ024N04LS6

 

BSZ024N04LS6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSZ024N04LS6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 570 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm
   Тип корпуса: TSDSON-8
 

 Аналог (замена) для BSZ024N04LS6

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSZ024N04LS6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1519K  infineon
bsz024n04ls6.pdfpdf_icon

BSZ024N04LS6

BSZ024N04LS6MOSFETTSDSON-8 FLOptiMOSTM 6 Power-Transistor, 40 V(enlarged source interconnection)Features Optimized for synchronous application Very low on-resistance RDS(on) 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel Qualified according to JEDEC1) for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free accord

 9.1. Size:709K  infineon
bsz028n04ls.pdfpdf_icon

BSZ024N04LS6

BSZ028N04LSOptiMOSTM Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 40 V Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec.RDS(on),max 2.8 mW Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GSID 40 A 100% avalanche testedQOSS 28 nC Superior thermal resistanceQG(0V..10V) 32 nC N-channel Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TSDSON-

 9.2. Size:1401K  infineon
bsz025n04ls.pdfpdf_icon

BSZ024N04LS6

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOSTM Power-MOSFET, 40 VBSZ025N04LSData SheetRev. 2.1FinalPower Management & MultimarketOptiMOSTM Power-MOSFET, 40 VBSZ025N04LSTSDSON-8 FL1 Description(enlarged source interconnection)Features Optimized for synchronous rectification Very low on-resistance RDS(on) 100% avalanche test

 9.3. Size:1521K  infineon
bsz021n04ls6.pdfpdf_icon

BSZ024N04LS6

BSZ021N04LS6MOSFETTSDSON-8 FLOptiMOSTM6 Power-Transistor, 40 V(enlarged source interconnection)Features Optimized for synchronous application Very low on-resistance RDS(on) 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel Qualified according to JEDEC1) for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free accordi

Другие MOSFET... BSS340NW , BSZ009NE2LS5 , BSZ010NE2LS5 , BSZ011NE2LS5I , BSZ013NE2LS5I , BSZ017NE2LS5I , BSZ018N04LS6 , BSZ021N04LS6 , IRF3710 , BSZ031NE2LS5 , BSZ033NE2LS5 , BSZ037N06LS5 , BSZ039N06NS , BSZ040N06LS5 , BSZ0500NSI , BSZ0589NS , BSZ063N04LS6 .

History: 2SK3914-01 | 2SK3177 | SIHFI9Z24G | 2SK3357 | SGSP471 | 2SK3526-01L | JCS15N70FC

 

 
Back to Top

 


 
.