IMZ120R030M1H. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IMZ120R030M1H
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 227 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 23 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 11.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 116 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
Тип корпуса: TO247-4
Аналог (замена) для IMZ120R030M1H
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IMZ120R030M1H даташит
imz120r030m1h.pdf
IMZ120R030M1H IMZ120R030M1H CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET Features Drain pin 1 Very low switching losses Gate Threshold-free on state characteristic pin 4 Benchmark gate threshold voltage, V = 4.5V GS(th) Sense Source 0V turn-off gate voltage for easy and simple gate drive pin 3 pin 2 Fully controllable dV/dt Robust
imz120r090m1h.pdf
IMZ120R090M1H IMZ120R090M1H CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET Features Drain pin 1 Very low switching losses Gate Threshold-free on state characteristic pin 4 Benchmark gate threshold voltage, V = 4.5V GS(th) Sense Source 0V turn-off gate voltage for easy and simple gate drive pin 3 pin 2 Fully controllable dV/dt Robust
imz120r060m1h.pdf
IMZ120R060M1H IMZ120R060M1H CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET Features Drain pin 1 Very low switching losses Gate Threshold-free on state characteristic pin 4 Benchmark gate threshold voltage, V = 4.5V GS(th) Sense Source 0V turn-off gate voltage for easy and simple gate drive pin 3 pin 2 Fully controllable dV/dt Robust
imz120r140m1h.pdf
IMZ120R140M1H IMZ120R140M1H CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET Features Drain pin 1 Very low switching losses Gate Threshold-free on state characteristic pin 4 Benchmark gate threshold voltage, V = 4.5V GS(th) Sense Source 0V turn-off gate voltage for easy and simple gate drive pin 3 pin 2 Fully controllable dV/dt Robust
Другие MOSFET... IMW120R090M1H , IMW120R140M1H , IMW120R220M1H , IMW120R350M1H , IMW65R027M1H , IMW65R048M1H , IMW65R072M1H , IMW65R107M1H , AON6380 , IMZ120R060M1H , IMZ120R090M1H , IMZ120R140M1H , IMZ120R220M1H , IMZ120R350M1H , IMZA65R027M1H , IMZA65R048M1H , IMZA65R072M1H .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
2sa1370 | 4508nh mosfet | a94 transistor | c5149 datasheet | m1830m mosfet | pkch2bb mosfet | 2024ont | 2n1306 transistor