Справочник MOSFET. AUIRF1324L

 

AUIRF1324L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AUIRF1324L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 24 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 195 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 190 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3440 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00165 Ohm
   Тип корпуса: TO262
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AUIRF1324L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:461K  infineon
auirf1324s auirf1324l.pdfpdf_icon

AUIRF1324L

AUIRF1324S AUTOMOTIVE GRADE AUIRF1324L HEXFET Power MOSFET Features VDSS 24V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 1.3m Ultra Low On-Resistance max. 1.65m Dynamic dV/dT Rating 175C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 340A Fast Switching ID (Package Limited) 195A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-

 5.1. Size:472K  international rectifier
auirf1324strl.pdfpdf_icon

AUIRF1324L

PD - 97483AUIRF1324SAUTOMOTIVE GRADEAUIRF1324LHEXFET Power MOSFETFeatures Advanced Process Technology DVDSS24V Ultra Low On-Resistance Dynamic dV/dT RatingRDS(on) typ.1.3m 175C Operating TemperatureGID (Silicon Limited) Fast Switching 340A Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxID (Package Limited)195A Lead-Free, RoHS Compliant S Automotive Qua

 5.2. Size:240K  international rectifier
auirf1324wl.pdfpdf_icon

AUIRF1324L

PD - 97676AAUTOMOTIVE GRADEAUIRF1324WLHEXFET Power MOSFETFeaturesl Advanced Process TechnologyDV(BR)DSS24Vl Ultra Low On-ResistanceRDS(on) typ.1.16ml 50% Lower Lead Resistance max. 1.30ml 175C Operating TemperatureGl Fast SwitchingID (Silicon Limited)382A l Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxSID (Package Limited)240A l Lead-Free,

 5.3. Size:432K  international rectifier
auirf1324.pdfpdf_icon

AUIRF1324L

PD - 97482AUTOMOTIVE GRADEAUIRF1324HEXFET Power MOSFETFeaturesDVDSS24V Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance RDS(on) typ.1.2m 175C Operating Temperature max. 1.5m Fast SwitchingG Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxID (Silicon Limited) 353A Lead-Free, RoHS CompliantSID (Package Limited)195A Automotive Qualified *DescriptionSpe

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: BRCS120N03YB | 12N65KL-TF1-T | SSW50R100S | 2SK3504-01 | AP65PN2R6H | PM560BZ | BRCS070N03DP

 

 
Back to Top

 


 
.