Справочник MOSFET. BSC025N08LS5

 

BSC025N08LS5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BSC025N08LS5
   Маркировка: 025N08LS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 44 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 840 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
   Тип корпуса: SUPERSO8

 Аналог (замена) для BSC025N08LS5

 

 

BSC025N08LS5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:869K  infineon
 bsc025n08ls5.pdf

BSC025N08LS5 BSC025N08LS5

BSC025N08LS5MOSFETSuperSO8OptiMOSTM5 Power-Transistor, 80 V5867Features 7685 Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. Rec. 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel, logic level4 Qualified according to JEDEC1) for target applications132 2 Pb-free lead plating; RoHS compliant3 14 Halogen-free according

 6.1. Size:194K  infineon
 bsc025n03ms.pdf

BSC025N08LS5 BSC025N08LS5

BSC025N03MS GOptiMOS3 M-Series Power-MOSFETProduct SummaryV 30 VFeatures DSR V =10 V 2.5mDS(on),max GS Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL)V =4.5 V 3GS Low FOMSW for High Frequency SMPSI 100 AD 100% avalanche tested N-channel PG-TDSON-8 Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS Excellent gate charge x R product (

 6.2. Size:542K  infineon
 bsc025n03msg.pdf

BSC025N08LS5 BSC025N08LS5

% ! % D %0 G D ON S 07DK >AI A@ D7E;EF3@57 0 . A@ G S J57>>7@F 93F7 5:3D97 J BDA6G5F !* ( D n)1)S , G3>;8;76 355AD6;@9 FA % 8AD F3D97F 3BB>;53F;A@ES .GB7D;AD F:7

 6.3. Size:382K  infineon
 bsc025n03ls.pdf

BSC025N08LS5 BSC025N08LS5

BSC025N03LS GOptiMOS3 Power-MOSFETProduct SummaryFeatures V 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPS R 2.5mDS(on),max Optimized technology for DC/DC converters I 100 AD Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-8 N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) Super

 6.4. Size:384K  infineon
 bsc025n03lsg.pdf

BSC025N08LS5 BSC025N08LS5

BSC025N03LS GOptiMOS3 Power-MOSFETProduct SummaryFeatures V 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPS R 2.5mDS(on),max Optimized technology for DC/DC converters I 100 AD Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-8 N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) Super

 6.5. Size:685K  infineon
 bsc025n03ls .pdf

BSC025N08LS5 BSC025N08LS5

& " & E $;B1= !#& '$=;0@/? &@99-=DFeatures D Q 2CD CG:D49:?8 ') - . 7@B -'*- m D n) m xQ ) AD:>:J65 D649?@=@8I 7@B 4@?F6BD6BC 1 D1)Q + E2=:7:65 244@B5:?8 D@ $ 7@B D2B86D 2AA=:42D:@?C G D ON Q ( 492??6= &@8:4 =6F6=Q H46==6?D 82D6 492B86 H AB@5E4D ) ' D n)Q /6BI =@G @? B6C:CD2?46 D n)Q -EA6B:@B D96B>2= B6C:CD2?46Q F2=2?496 B2D65Q *3 7B66 A=2D:?8 , @

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top