Справочник MOSFET. BSC025N08LS5

 

BSC025N08LS5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSC025N08LS5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 840 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
   Тип корпуса: SUPERSO8
 

 Аналог (замена) для BSC025N08LS5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSC025N08LS5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:869K  infineon
bsc025n08ls5.pdfpdf_icon

BSC025N08LS5

BSC025N08LS5MOSFETSuperSO8OptiMOSTM5 Power-Transistor, 80 V5867Features 7685 Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. Rec. 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel, logic level4 Qualified according to JEDEC1) for target applications132 2 Pb-free lead plating; RoHS compliant3 14 Halogen-free according

 6.1. Size:194K  infineon
bsc025n03ms.pdfpdf_icon

BSC025N08LS5

BSC025N03MS GOptiMOS3 M-Series Power-MOSFETProduct SummaryV 30 VFeatures DSR V =10 V 2.5mDS(on),max GS Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL)V =4.5 V 3GS Low FOMSW for High Frequency SMPSI 100 AD 100% avalanche tested N-channel PG-TDSON-8 Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS Excellent gate charge x R product (

 6.2. Size:542K  infineon
bsc025n03msg.pdfpdf_icon

BSC025N08LS5

% ! % D %0 G D ON S 07DK >AI A@ D7E;EF3@57 0 . A@ G S J57>>7@F 93F7 5:3D97 J BDA6G5F !* ( D n)1)S , G3>;8;76 355AD6;@9 FA % 8AD F3D97F 3BB>;53F;A@ES .GB7D;AD F:7

 6.3. Size:382K  infineon
bsc025n03ls.pdfpdf_icon

BSC025N08LS5

BSC025N03LS GOptiMOS3 Power-MOSFETProduct SummaryFeatures V 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPS R 2.5mDS(on),max Optimized technology for DC/DC converters I 100 AD Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-8 N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) Super

Другие MOSFET... AUIRF7759L2TR , AUIRF7769L2TR , AUIRF7799L2TR , AUIRF8736M2TR , AUIRF8739L2TR , AUIRFSA8409-7P , BF999 , BSC012N06NS , 4435 , BSC027N10NS5 , BSC037N08NS5T , BSC079N03LSCG , BSC220N20NSFD , BSG0810NDI , BSZ018NE2LSI , BSZ068N06NS , BSZ100N06NS .

History: MSU11N50Q | 6N65KG-TF3-T | UT30P04

 

 
Back to Top

 


 
.