Справочник MOSFET. IPB180N08S4-02

 

IPB180N08S4-02 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPB180N08S4-02
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 277 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3435 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0022 Ohm
   Тип корпуса: TO263-7
 

 Аналог (замена) для IPB180N08S4-02

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB180N08S4-02 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:201K  infineon
 ipb180n08s4-02.pdf pdf_icon

IPB180N08S4-02

IPB180N08S4-02OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 80 VDSR 2.2mWDS(on),maxI 180 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-7-3 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Ultra low RDSon Ultra high IDType Package MarkingIPB180N08

 6.1. Size:351K  infineon
 ipb180n04s4-00.pdf pdf_icon

IPB180N08S4-02

IPB180N04S4-00OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on) 0.98mWID 180 AFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-7-3 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPB180N04S4-00 PG-TO263-7-3 4N0400Maxim

 6.2. Size:161K  infineon
 ipb180n03s4l-h0 ipb180n03s4l-h0 ds 1 0.pdf pdf_icon

IPB180N08S4-02

IPB180N03S4L-H0OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 30 VDSR 0.95mDS(on)I 180 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-7-3 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green package (RoHS compliant) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPB180N03S4L-H0 PG-TO263-7-3 4N

 6.3. Size:176K  infineon
 ipb180n06s4-h1 ipb180n06s4-h1 ds 10.pdf pdf_icon

IPB180N08S4-02

IPB180N06S4-H1OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 60 VDSR 1.7mDS(on),maxI 180 ADFeaturesPG-TO263-7-3 N-channel - Enhancement mode AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Ultra low RDSon Ultra high IDType Package MarkingIPB180N0

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IPB015N04N6 , IPB08CN10NG , IPB100N12S3-05 , IPB120N10S4-03 , IPB120N10S4-05 , IPB120P04P4L-03 , IPB180N04S4L-01 , IPB180N04S4L-H0 , IRF640 , IPB180N10S4-02 , IPB180N10S4-03 , IPB180P04P4-03 , IPB180P04P4L-02 , IPB240N03S4L-R8 , IPB240N04S4-1R0 , IPB240N04S4-R9 , IPB35N10S3L-26 .

History: SI1058X | CEB07N7 | IPD60R1K0CE | SRADM1002 | SML4025AN

 

 
Back to Top

 


 
.