IPB180P04P4L-02 - описание и поиск аналогов

 

IPB180P04P4L-02. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPB180P04P4L-02

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 4570 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm

Тип корпуса: TO263-7

Аналог (замена) для IPB180P04P4L-02

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB180P04P4L-02 даташит

 0.1. Size:172K  infineon
ipb180p04p4l-02.pdfpdf_icon

IPB180P04P4L-02

Final Data Sheet IPB180P04P4L-02 OptiMOS -P2 Power-Transistor Product Summary V -40 V DS R 2.4 mW DS(on),max I -180 A D Features PG-TO263-7-3 P-channel - Logic Level - Enhancement mode AEC qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Drain Intended for reverse battery pro

 3.1. Size:313K  infineon
ipb180p04p4-03.pdfpdf_icon

IPB180P04P4L-02

Final Data Sheet IPB180P04P4-03 OptiMOS -P2 Power-Transistor Product Summary VDS -40 V RDS(on) 2.8 mW ID -180 A Features P-channel - Normal Level - Enhancement mode PG-TO263-7-3 AEC qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green package (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Drain Pin 4, Tab Gate Pin 1 Source Pi

 8.1. Size:256K  infineon
ipb180n10s4-03.pdfpdf_icon

IPB180P04P4L-02

IPB180N10S4-03 OptiMOSTM-T2 Power-Transistor Product Summary VDS 100 V RDS(on) 3.3 mW ID 180 A Features N-channel - Normal Level - Enhancement mode PG-TO263-7-3 AEC qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPB180N10S4-03 PG-TO263-7-3 4N1003 Maximum ratin

 8.2. Size:351K  infineon
ipb180n04s4-00.pdfpdf_icon

IPB180P04P4L-02

IPB180N04S4-00 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary VDS 40 V RDS(on) 0.98 mW ID 180 A Features N-channel - Enhancement mode PG-TO263-7-3 AEC qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green product (RoHS compliant) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPB180N04S4-00 PG-TO263-7-3 4N0400 Maxim

Другие MOSFET... IPB120N10S4-05 , IPB120P04P4L-03 , IPB180N04S4L-01 , IPB180N04S4L-H0 , IPB180N08S4-02 , IPB180N10S4-02 , IPB180N10S4-03 , IPB180P04P4-03 , IRLZ44N , IPB240N03S4L-R8 , IPB240N04S4-1R0 , IPB240N04S4-R9 , IPB35N10S3L-26 , IPB50N12S3L-15 , IPB60R040CFD7 , IPB60R045P7 , IPB60R070CFD7 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.