Справочник MOSFET. IPB180P04P4L-02

 

IPB180P04P4L-02 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPB180P04P4L-02
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 4570 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm
   Тип корпуса: TO263-7
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB180P04P4L-02 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:172K  infineon
 ipb180p04p4l-02.pdf pdf_icon

IPB180P04P4L-02

Final Data Sheet IPB180P04P4L-02OptiMOS-P2 Power-TransistorProduct SummaryV -40 VDSR 2.4mWDS(on),maxI -180 ADFeaturesPG-TO263-7-3 P-channel - Logic Level - Enhancement mode AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedDrain Intended for reverse battery pro

 3.1. Size:313K  infineon
 ipb180p04p4-03.pdf pdf_icon

IPB180P04P4L-02

Final Data Sheet IPB180P04P4-03OptiMOS-P2 Power-TransistorProduct Summary VDS -40 V RDS(on) 2.8 mW ID -180 A Features P-channel - Normal Level - Enhancement modePG-TO263-7-3 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green package (RoHS compliant) 100% Avalanche testedDrain Pin 4, Tab Gate Pin 1 Source Pi

 8.1. Size:256K  infineon
 ipb180n10s4-03.pdf pdf_icon

IPB180P04P4L-02

IPB180N10S4-03OptiMOSTM-T2 Power-TransistorProduct SummaryVDS 100 VRDS(on) 3.3mWID 180 AFeatures N-channel - Normal Level - Enhancement modePG-TO263-7-3 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPB180N10S4-03 PG-TO263-7-3 4N1003Maximum ratin

 8.2. Size:351K  infineon
 ipb180n04s4-00.pdf pdf_icon

IPB180P04P4L-02

IPB180N04S4-00OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on) 0.98mWID 180 AFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-7-3 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPB180N04S4-00 PG-TO263-7-3 4N0400Maxim

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: WM02N70ME | PB554DY | 2SK2525-01 | AP55T10GH-HF | MTB1D7N03ATH8 | 2SK610 | OSG65R360GEF

 

 
Back to Top

 


 
.