Справочник MOSFET. IPD95R1K2P7

 

IPD95R1K2P7 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IPD95R1K2P7
   Маркировка: 95R1K2P7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 52 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 950 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 15 nC
   Время нарастания (tr): 10 ns
   Выходная емкость (Cd): 12 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для IPD95R1K2P7

 

 

IPD95R1K2P7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1083K  infineon
ipd95r1k2p7.pdf

IPD95R1K2P7 IPD95R1K2P7

IPD95R1K2P7MOSFETDPAK950V CoolMOS P7 SJ Power DeviceThe latest 950V CoolMOS P7 series sets a new benchmark in 950Vtabsuper junction technologies and combines best-in-class performance withstate of the art ease-of-use, resulting from Infineons over 18 yearspioneering super junction technology innovation.Features21 Best-in-class FOM R * E ; reduced Q , C , and C

 8.1. Size:1122K  infineon
ipd95r450p7.pdf

IPD95R1K2P7 IPD95R1K2P7

IPD95R450P7MOSFETDPAK950V CoolMOS P7 SJ Power DeviceThe latest 950V CoolMOS P7 series sets a new benchmark in 950Vtabsuper junction technologies and combines best-in-class performance withstate of the art ease-of-use, resulting from Infineons over 18 yearspioneering super junction technology innovation.Features21 Best-in-class FOM R * E ; reduced Q , C , and C

 8.2. Size:1104K  infineon
ipd95r750p7.pdf

IPD95R1K2P7 IPD95R1K2P7

IPD95R750P7MOSFETDPAK950V CoolMOS P7 SJ Power DeviceThe latest 950V CoolMOS P7 series sets a new benchmark in 950Vtabsuper junction technologies and combines best-in-class performance withstate of the art ease-of-use, resulting from Infineons over 18 yearspioneering super junction technology innovation.Features21 Best-in-class FOM R * E ; reduced Q , C , and C

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top