IPG20N10S4L-22A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPG20N10S4L-22A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: TDSON-8-10

Аналог (замена) для IPG20N10S4L-22A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPG20N10S4L-22A даташит

 ..1. Size:191K  infineon
 ipg20n10s4l-22.pdf pdf_icon

IPG20N10S4L-22A

IPG20N10S4L-22 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary VDS 100 V RDS(on),max4) 22 m ID 20 A Features Dual N-channel Logic Level - Enhancement mode PG-TDSON-8-4 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPG20N10S4L-22 PG-TDSON-8-4 4N10L22

 0.1. Size:207K  infineon
 ipg20n10s4l-22a.pdf pdf_icon

IPG20N10S4L-22A

IPG20N10S4L-22A OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary VDS 100 V RDS(on),max4) 22 m ID 20 A Features Dual N-channel Logic Level - Enhancement mode PG-TDSON-8-10 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Feasible for automatic optical inspection (AOI) Ty

 2.1. Size:195K  infineon
 ipg20n10s4l-35a.pdf pdf_icon

IPG20N10S4L-22A

IPG20N10S4L-35A OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary VDS 100 V RDS(on),max4) 35 m ID 20 A Features Dual N-channel Logic Level - Enhancement mode PG-TDSON-8-10 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Feasible for automatic optical inspection (AOI) Typ

 4.1. Size:270K  infineon
 ipg20n10s4-36a.pdf pdf_icon

IPG20N10S4L-22A

IPG20N10S4-36A OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary VDS 100 V RDS(on),max4) 36 mW ID 20 A Features Dual N-channel Normal Level - Enhancement mode PG-TDSON-8-10 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Feasible for automatic optical inspection (AOI) Type

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IPG20N04S4L-07A, IPG20N04S4L-18A, IPG20N06S2L-50A, IPG20N06S2L-65A, IPG20N06S4L-11A, IPG20N06S4L-26A, IPG20N10S4-36A, IPG20N10S4L-22, IRFP260N, IPG20N10S4L-35A, IPI08CN10NG, IPI100N12S3-05, IPI120N08S4-03, IPI120N08S4-04, IPI120N10S4-03, IPI120N10S4-05, IPI120P04P4-04