Справочник MOSFET. STD3N30T4

 

STD3N30T4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STD3N30T4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STD3N30T4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:143K  1
std3n30 std3n30-1 std3n30t4.pdfpdf_icon

STD3N30T4

STD3N30N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD3N30 300 V

 7.1. Size:333K  1
std3n30l std3n30l-1 std3n30lt4.pdfpdf_icon

STD3N30T4

 7.2. Size:143K  st
std3n30.pdfpdf_icon

STD3N30T4

STD3N30N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD3N30 300 V

 9.1. Size:172K  1
std3n25 std3n25-1 std3n25t4.pdfpdf_icon

STD3N30T4

STD3N25N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD3N25 250 V

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: CET04N10 | DMP22M2UPS-13 | H5N2004DS

 

 
Back to Top

 


 
.