IPZ60R060C7 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IPZ60R060C7
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 162 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 54 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
Тип корпуса: TO247-4
Аналог (замена) для IPZ60R060C7
IPZ60R060C7 Datasheet (PDF)
ipz60r060c7.pdf
MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C7600V CoolMOS C7 Power TransistorIPZ60R060C7Data SheetRev. 2.0FinalPower Management & Multimarket600V CoolMOS C7 Power TransistorIPZ60R060C7PG-TO 247-41 DescriptionCoolMOS C7 is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle a
ipz60r070p6.pdf
MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS P6600V CoolMOS P6 Power TransistorIPZ60R070P6Data SheetRev. 2.0FinalPower Management & Multimarket600V CoolMOS P6 Power TransistorIPZ60R070P6PG-TO 247-41 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and
ipz60r099c7.pdf
MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C7600V CoolMOS C7 Power TransistorIPZ60R099C7Data SheetRev. 2.0FinalPower Management & Multimarket600V CoolMOS C7 Power TransistorIPZ60R099C7PG-TO 247-41 DescriptionCoolMOS C7 is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle a
ipz60r040c7.pdf
MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C7600V CoolMOS C7 Power TransistorIPZ60R040C7Data SheetRev. 2.0FinalPower Management & Multimarket600V CoolMOS C7 Power TransistorIPZ60R040C7PG-TO 247-41 DescriptionCoolMOS C7 is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle a
Другие MOSFET... IPW60R180P7 , IPW80R280P7 , IPW80R290C3A , IPW80R360P7 , IPZ40N04S5-3R1 , IPZ40N04S5-5R4 , IPZ40N04S5-8R4 , IPZ40N04S5L-7R4 , STF13NM60N , IPZ60R070P6 , IPZA60R037P7 , IPZA60R045P7 , IPZA60R060P7 , IPZA60R080P7 , IPZA60R120P7 , IPZA60R180P7 , IQE006NE2LM5 .
History: IRFP450N | AP80N07T | IRFP450R
History: IRFP450N | AP80N07T | IRFP450R
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM25N15C | AGM2319EL | AGM2309EL | AGM218MAP | AGM216MNE | AGM216ME | AGM215TS | AGM215MNE | AGM210S | AGM210MAP | AGM210AP | AGM20T09LL | AGM20T09C | AGM20P30AP1 | AGM20P30AP | AGM312D
Popular searches
mje15031 | irfp150n | mj15025 | mp1620 | kta1381 | bf494 | 2sc1885 | skd502t





