Справочник MOSFET. IPZ60R060C7

 

IPZ60R060C7 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPZ60R060C7
   Маркировка: 60C7060
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 162 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 68 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 54 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: TO247-4
 

 Аналог (замена) для IPZ60R060C7

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPZ60R060C7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1296K  infineon
 ipz60r060c7.pdf pdf_icon

IPZ60R060C7

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C7600V CoolMOS C7 Power TransistorIPZ60R060C7Data SheetRev. 2.0FinalPower Management & Multimarket600V CoolMOS C7 Power TransistorIPZ60R060C7PG-TO 247-41 DescriptionCoolMOS C7 is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle a

 7.1. Size:1286K  infineon
 ipz60r070p6.pdf pdf_icon

IPZ60R060C7

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS P6600V CoolMOS P6 Power TransistorIPZ60R070P6Data SheetRev. 2.0FinalPower Management & Multimarket600V CoolMOS P6 Power TransistorIPZ60R070P6PG-TO 247-41 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and

 7.2. Size:1460K  infineon
 ipz60r099c7.pdf pdf_icon

IPZ60R060C7

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C7600V CoolMOS C7 Power TransistorIPZ60R099C7Data SheetRev. 2.0FinalPower Management & Multimarket600V CoolMOS C7 Power TransistorIPZ60R099C7PG-TO 247-41 DescriptionCoolMOS C7 is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle a

 7.3. Size:1469K  infineon
 ipz60r040c7.pdf pdf_icon

IPZ60R060C7

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C7600V CoolMOS C7 Power TransistorIPZ60R040C7Data SheetRev. 2.0FinalPower Management & Multimarket600V CoolMOS C7 Power TransistorIPZ60R040C7PG-TO 247-41 DescriptionCoolMOS C7 is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IPW60R180P7 , IPW80R280P7 , IPW80R290C3A , IPW80R360P7 , IPZ40N04S5-3R1 , IPZ40N04S5-5R4 , IPZ40N04S5-8R4 , IPZ40N04S5L-7R4 , CS150N03A8 , IPZ60R070P6 , IPZA60R037P7 , IPZA60R045P7 , IPZA60R060P7 , IPZA60R080P7 , IPZA60R120P7 , IPZA60R180P7 , IQE006NE2LM5 .

History: SHDC220455

 

 
Back to Top

 


 
.