Справочник MOSFET. IRF7314PBF

 

IRF7314PBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF7314PBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.7(min) V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 19 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 470 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF7314PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:195K  international rectifier
 irf7314pbf.pdf pdf_icon

IRF7314PBF

PD - 95181IRF7314PbFHEXFET Power MOSFETl Generation V Technology1 8S1 D1l Ultra Low On-ResistanceVDSS = -20V2 7l Dual P-Channel MOSFETG1 D1l Surface Mount3 6S2 D2l Fully Avalanche Rated4 5G2 D2l Lead-Free RDS(on) = 0.058Top ViewDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextreme

 7.1. Size:148K  international rectifier
 irf7314q.pdf pdf_icon

IRF7314PBF

PD -93945AIRF7314QHEXFET Power MOSFETTypical ApplicationsVDSS RDS(on) max ID Anti-lock Braking Systems (ABS) -20V 0.058@VGS = -4.5V -5.2A Electronic Fuel Injection0.098@VGS = -2.7V -4.42A Air bagBenefits Advanced Process Technology Dual P-Channel MOSFET1 8S1 D1 Ultra Low On-Resistance2 7G1 D1 175C Operating Temperature3 6S2 D2

 7.2. Size:147K  international rectifier
 irf7314.pdf pdf_icon

IRF7314PBF

PD - 9.1436BIRF7314PRELIMINARYHEXFET Power MOSFET Generation V Technology1 8S1 D1 Ultra Low On-ResistanceVDSS = -20V2 7 Dual P-Channel MOSFETG1 D1 Surface Mount3 6S2 D2 Fully Avalanche Rated45G2 D2RDS(on) = 0.058Top ViewDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely l

 7.3. Size:909K  cn vbsemi
 irf7314trpbf.pdf pdf_icon

IRF7314PBF

IRF7314TRPBFwww.VBsemi.twDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.029 at VGS = - 10 V - 7.3 100 % UIS TestedRoHS- 30 17 nCCOMPLIANT0.039 at VGS = - 4.5 V - 6.3APPLICATIONS Load SwitchesS1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25Top

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... ME2301-G , IRF7303PBF , IRF7304PBF , IRF7306PBF , IRF7307PBF , IRF7309TRPBF-1 , IRF7311PBF , IRF7313PBF , 60N06 , IRF7316PBF , IRF7317PBF , IRF7319PBF , IRF7324PBF , IRF7328PBF , IRF7329PBF , IRF7331PBF , IRF7341PBF .

 

 
Back to Top

 


 
.