IRF7319PBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRF7319PBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1(min) V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 22 nC
trⓘ - Время нарастания: 8.9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для IRF7319PBF
IRF7319PBF Datasheet (PDF)
irf7319pbf.pdf
PD - 95267IRF7319PbFHEXFET Power MOSFETl Generation V TechnologyN-CHANNEL MOSFETN-Ch P-Ch1 8l Ultra Low On-ResistanceS1 D1l Dual N and P Channel MOSFET 2 7G1 D1VDSS 30V -30Vl Surface Mount3 6S2 D2l Fully Avalanche Rated45l Lead-Free G2 D2P-CHANNEL MOSFETRDS(on) 0.029 0.058Top ViewDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifi
auirf7319q.pdf
AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7319Q Features N-CHANNEL MOSFET N-CH P-CH Advanced Planar Technology 1 8S1 D1VDSS 30V -30V Low On-Resistance 2 7G1 D1 Logic Level Gate Drive RDS(on) typ. 0.023 0.0423 6S2 D2 Dual N and P Channel MOSFET max. 0.029 0.05845G2 D2 Surface Mount P-CHANNEL MOSFETID 6.5A -4.9A Fully Avalanch
irf7319.pdf
PD - 9.1606AIRF7319PRELIMINARYHEXFET Power MOSFET Generation V TechnologyN-CHANNEL MOSFE TN-Ch P-Ch1 8 Ultra Low On-ResistanceS1 D1 Dual N and P Channel MOSFET 2 7G1 D1VDSS 30V -30V Surface Mount3 6S2 D2 Fully Avalanche Rated4 5G2 D2P-C H ANN EL MO SFE TRDS(on) 0.029 0.058Top ViewDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifi
irf7319tr.pdf
IRF7319TRwww.VBsemi.twN- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () DefinitionID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.018 at VGS = 10 V 8e 100 % Rg and UIS TestedN-Channel 30 0.020 at VGS = 8 V 8e 6.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.024 at VGS = 4.5 V 8e0.032 at VG
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: R6530ENX
History: R6530ENX
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918