IRF7319PBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRF7319PBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1(min) V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 22 nC
Время нарастания (tr): 8.9 ns
Выходная емкость (Cd): 320 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.029 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для IRF7319PBF
IRF7319PBF Datasheet (PDF)
irf7319pbf.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
PD - 95267IRF7319PbFHEXFET Power MOSFETl Generation V TechnologyN-CHANNEL MOSFETN-Ch P-Ch1 8l Ultra Low On-ResistanceS1 D1l Dual N and P Channel MOSFET 2 7G1 D1VDSS 30V -30Vl Surface Mount3 6S2 D2l Fully Avalanche Rated45l Lead-Free G2 D2P-CHANNEL MOSFETRDS(on) 0.029 0.058Top ViewDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifi
auirf7319q.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7319Q Features N-CHANNEL MOSFET N-CH P-CH Advanced Planar Technology 1 8S1 D1VDSS 30V -30V Low On-Resistance 2 7G1 D1 Logic Level Gate Drive RDS(on) typ. 0.023 0.0423 6S2 D2 Dual N and P Channel MOSFET max. 0.029 0.05845G2 D2 Surface Mount P-CHANNEL MOSFETID 6.5A -4.9A Fully Avalanch
irf7319.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
PD - 9.1606AIRF7319PRELIMINARYHEXFET Power MOSFET Generation V TechnologyN-CHANNEL MOSFE TN-Ch P-Ch1 8 Ultra Low On-ResistanceS1 D1 Dual N and P Channel MOSFET 2 7G1 D1VDSS 30V -30V Surface Mount3 6S2 D2 Fully Avalanche Rated4 5G2 D2P-C H ANN EL MO SFE TRDS(on) 0.029 0.058Top ViewDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifi
irf7319tr.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
IRF7319TRwww.VBsemi.twN- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () DefinitionID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.018 at VGS = 10 V 8e 100 % Rg and UIS TestedN-Channel 30 0.020 at VGS = 8 V 8e 6.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.024 at VGS = 4.5 V 8e0.032 at VG
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
![IRF7319PBF](https://alltransistors.com/images/us.png)
![IRF7319PBF](https://alltransistors.com/images/es.png)
![IRF7319PBF](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C