IRFS31N20DP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRFS31N20DP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 31 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 70 nC
Время нарастания (tr): 38 ns
Выходная емкость (Cd): 390 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.082 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для IRFS31N20DP
IRFS31N20DP Datasheet (PDF)
irfb31n20dpbf irfs31n20dp irfsl31n20dp.pdf
IRFB31N20DPbFSMPS MOSFETIRFS31N20DPbFIRFSL31N20DPbFAppIications HEXFET Power MOSFETl High Frequency DC-DC convertersl Lead-FreeVDSS RDS(on) max ID200V 0.082 31ABenefitsl Low Gate to Drain to Reduce SwitchingLossesl Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design,(SeeAN 1001)l Fully Characterized Avalanche Voltageand Cur
irfb31n20dpbf irfs31n20dpbf irfsl31n20dpbf.pdf
IRFB31N20DPbFSMPS MOSFETIRFS31N20DPbFIRFSL31N20DPbFAppIications HEXFET Power MOSFETl High Frequency DC-DC convertersl Lead-FreeVDSS RDS(on) max ID200V 0.082 31ABenefitsl Low Gate to Drain to Reduce SwitchingLossesl Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design,(SeeAN 1001)l Fully Characterized Avalanche Voltageand Cur
irfs31n20d.pdf
PD- 93805BIRFB31N20D IRFS31N20DSMPS MOSFETIRFSL31N20DHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max ID High frequency DC-DC converters200V 0.082 31ABenefits Low Gate-to-Drain Charge to ReduceSwitching Losses Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design, (SeeApp. Note AN1001)TO-220AB D2Pak TO-262 Fully Characterized Avalanche
irfs31n20d.pdf
Isc N-Channel MOSFET Transistor IRFS31N20DFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vo
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
