Справочник MOSFET. ME4542-G

 

ME4542-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME4542-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для ME4542-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME4542-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1411K  matsuki electric
 me4542 me4542-g.pdf pdf_icon

ME4542-G

ME4542/ME4542-G N and P- Channel 30-V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)25m@VGS=10V (N-Ch) The ME4542 is the N and P Channel logic enhancement mode RDS(ON)40m@VGS=4.5V (N-Ch) power field effect transistors are produced using high cell density , RDS(ON)35m@VGS=-10V (P-Ch) DMOS trench technology. This high density process is especially

 9.1. Size:1677K  matsuki electric
 me4548 me4548-g.pdf pdf_icon

ME4542-G

ME4548/ME4548-G Dual N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4548 is the dual N- and P-Channel logic enhancement RDS(ON) 18 m@VGS=10V (N-Ch)mode power field effect transistors are produced using high cell RDS(ON) 29 m@VGS=4.5V(N-Ch)density, DMOS trench technology. This high density process is RDS(ON) 22m@VGS=-10V(P-Ch)espe

Другие MOSFET... ME4411-G , ME4413D , ME4413D-G , ME4435 , ME4435-G , ME4454 , ME4454-G , ME4542 , IRFP064N , ME4548 , ME4548-G , ME4565 , ME4565A , ME4565A-G , ME4565AD4 , ME4565AD4-G , ME45N03T .

History: CS5210 | 2SJ508 | AON6482 | STP200NF04L | SVT035R5NMJ | IRF4410H | AUIRL3705N

 

 
Back to Top

 


 
.