Справочник MOSFET. ME4542-G

 

ME4542-G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ME4542-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12 nC
   trⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8

 Аналог (замена) для ME4542-G

 

 

ME4542-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1411K  matsuki electric
 me4542 me4542-g.pdf

ME4542-G ME4542-G

ME4542/ME4542-G N and P- Channel 30-V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)25m@VGS=10V (N-Ch) The ME4542 is the N and P Channel logic enhancement mode RDS(ON)40m@VGS=4.5V (N-Ch) power field effect transistors are produced using high cell density , RDS(ON)35m@VGS=-10V (P-Ch) DMOS trench technology. This high density process is especially

 9.1. Size:1677K  matsuki electric
 me4548 me4548-g.pdf

ME4542-G ME4542-G

ME4548/ME4548-G Dual N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4548 is the dual N- and P-Channel logic enhancement RDS(ON) 18 m@VGS=10V (N-Ch)mode power field effect transistors are produced using high cell RDS(ON) 29 m@VGS=4.5V(N-Ch)density, DMOS trench technology. This high density process is RDS(ON) 22m@VGS=-10V(P-Ch)espe

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top