ME4970-G - описание и поиск аналогов

 

ME4970-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME4970-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для ME4970-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME4970-G даташит

 ..1. Size:1213K  matsuki electric
 me4970 me4970-g.pdf pdf_icon

ME4970-G

ME4970/ME4970-G Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4970 is the Dual N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 16m @VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON) 20m @VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely

 8.1. Size:1028K  1
 me4970 me4970g.pdf pdf_icon

ME4970-G

ME4970/ME4970-G Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4970 is the Dual N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 16m @VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON) 20m @VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely

 8.2. Size:1148K  matsuki electric
 me4970a me4970a-g.pdf pdf_icon

ME4970-G

ME4970A /ME4970A-G Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4970A-G is the Dual N-Channel logic enhancement mode RDS(ON) 14m @VGS=10V power field effect transistors are produced using high cell density, RDS(ON) 20m @VGS=4.5V DMOS trench technology. This high density process is especially Super high density cell design for extremely low RD

 8.3. Size:939K  cn vbsemi
 me4970.pdf pdf_icon

ME4970-G

ME4970 www.VBsemi.tw Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg Tested 0.016 at VGS = 10 V 8.5 100 % UIS Tested 30 7.1 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.020 at VGS = 4.5 V 7.6 APPLICATIONS Notebook System Power Low Current DC/DC D 1 D 2 SO-8 S D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... ME4825-G , ME4925 , ME4925-G , ME4946 , ME4946-G , ME4953-G , ME4954 , ME4954-G , IRFB4115 , ME50N06A , ME50N06A-G , ME50N06T , ME50N06T-G , ME50N75T , ME50N75T-G , ME50P06 , ME50P06-G .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.