ME7114S-G - аналоги и даташиты транзистора

 

ME7114S-G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: ME7114S-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3
 

 Аналог (замена) для ME7114S-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME7114S-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1491K  1
 me7114s-g.pdf pdf_icon

ME7114S-G

ME7114S-G N-Channel 30V(D-S) Enhancement MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7114S-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)7m@VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON)10.5m@VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely l

 ..2. Size:1423K  matsuki electric
 me7114s-g.pdf pdf_icon

ME7114S-G

ME7114S-G N-Channel 30V(D-S) Enhancement MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7114S-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)7m@VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON)10.5m@VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely l

 7.1. Size:1423K  1
 me7114s.pdf pdf_icon

ME7114S-G

ME7114S-G N-Channel 30V(D-S) Enhancement MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7114S-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)7m@VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON)10.5m@VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely l

Другие MOSFET... ME60N03AS-G , ME60P06T , ME60P06T-G , ME66N04T , ME6968ED , ME6968ED-G , ME6980ED , ME6980ED-G , IRFB3607 , ME7804S-G , ME7839S-G , ME80N08A , ME80N08A-G , ME80N75F-G , ME80N75T , ME80N75T-G , ME8107 .

History: UM6J1N | BSB053N03LPG | AONP38324 | AO3401MI-MS | WMJ36N60C4 | AOSX32128 | JMSH0606PGDQ

 

 
Back to Top

 


 
.