ME7114S-G. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: ME7114S-G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.8 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
Тип корпуса: DFN3X3
Аналог (замена) для ME7114S-G
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
ME7114S-G даташит
me7114s-g.pdf
ME7114S-G N-Channel 30V(D-S) Enhancement MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7114S-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 7m @VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON) 10.5m @VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely l
me7114s-g.pdf
ME7114S-G N-Channel 30V(D-S) Enhancement MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7114S-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 7m @VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON) 10.5m @VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely l
me7114s.pdf
ME7114S-G N-Channel 30V(D-S) Enhancement MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7114S-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 7m @VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON) 10.5m @VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely l
Другие MOSFET... ME60N03AS-G , ME60P06T , ME60P06T-G , ME66N04T , ME6968ED , ME6968ED-G , ME6980ED , ME6980ED-G , K4145 , ME7804S-G , ME7839S-G , ME80N08A , ME80N08A-G , ME80N75F-G , ME80N75T , ME80N75T-G , ME8107 .
History: CPH3459 | DN3135 | IGT60R070D1 | BTS140A
History: CPH3459 | DN3135 | IGT60R070D1 | BTS140A
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
2sc3855 | 2sc945 transistor equivalent | 2sd427 | mje15032 equivalent | 2sc4834 | 2sd313 transistor equivalent | 2sc871 replacement | a872 transistor



