MEE4294-G - описание и поиск аналогов

 

MEE4294-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MEE4294-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 704 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для MEE4294-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MEE4294-G даташит

 ..1. Size:1518K  matsuki electric
 mee4294-g.pdf pdf_icon

MEE4294-G

MEE4294-G N-Channel 100V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The MEE4294-G is a N-Channel enhancement mode power field effect RDS(ON) 10.5m @VGS=10V transistor, using Force-MOS patented Extended Trench Gate (ETG) RDS(ON) 16.5m @VGS=4.5V technology. This advanced technology is especially tailored to minimize Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

 7.1. Size:954K  matsuki electric
 mee4294k mee4294k-g.pdf pdf_icon

MEE4294-G

MEE4294K/MEE4294K-G N-Channel 100V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The MEE4294K-G is a N-Channel enhancement mode power field effect RDS(ON) 10.5m @VGS=10V transistor, using Force-MOS patented Extended Trench Gate (ETG) RDS(ON) 16.5m @VGS=4.5V technology. This advanced technology is especially tailored to minimize Super high density cell design for extremely

 7.2. Size:931K  matsuki electric
 mee4294k2 mee4294k2-g.pdf pdf_icon

MEE4294-G

MEE4294K2/MEE4294K2-G N-Channel 100V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The MEE4294K2-G is a N-Channel enhancement mode power field effect RDS(ON) 10.5m @VGS=10V transistor, using Force-MOS patented Extended Trench Gate (ETG) RDS(ON) 16.5m @VGS=4.5V technology. This advanced technology is especially tailored to minimize Super high density cell design for extreme

 7.3. Size:1044K  matsuki electric
 mee4294t2.pdf pdf_icon

MEE4294-G

MEE4294T2 N-Channel 100V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The MEE4294T2 is a N-Channel enhancement mode power field effect RDS(ON) 11.5m @VGS=10V transistor, using Force-MOS patented Extended Trench Gate (ETG) RDS(ON) 16.5m @VGS=4.5V technology. This advanced technology is especially tailored to minimize Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... ME9435A , ME9435A-G , ME95N03 , ME95N03-G , ME95N03T , ME95N03T-G , MEE15N10-G , MEE3710-G , 18N50 , MESS84 , JCS10N60BT , JCS10N60CC , JCS10N60CT , JCS10N60FC , JCS10N60FT , JCS10N60ST , JCS10N65BT .

History: HA20N50 | 2SK1562 | RUM002N02 | HA210N06 | IAUC100N04S6N022 | HA25N50 | ASDM20P09ZB

 

 

 

 

↑ Back to Top
.