Справочник MOSFET. S-LNTK2575LT1G

 

S-LNTK2575LT1G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: S-LNTK2575LT1G
   Маркировка: T4*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 1.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 22.4 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для S-LNTK2575LT1G

 

 

S-LNTK2575LT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:232K  lrc
 lntk2575lt1g s-lntk2575lt1g.pdf

S-LNTK2575LT1G S-LNTK2575LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.LNTK2575LT1GSmall Signal MOSFETS-LNTK2575LT1G25 V, 0.75 A, Single, N-Channel,ESD Protection, SOT-233Features Advance Planar Technology for Fast Switching, Low RDS(on)1 Higher Efficiency Extending Battery Life2 This is a Pb-Free Device S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring SOT 23 Unique Site and Control Ch

 8.1. Size:229K  lrc
 lntk3043pt5g s-lntk3043pt5g.pdf

S-LNTK2575LT1G S-LNTK2575LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Power MOSFET20 V, 285 mA, P-Channel with ESDProtection, SOT-723LNTK3043PT5GFeaturesS-LNTK3043PT5G Enables High Density PCB Manufacturing 44% Smaller Footprint than SC-89 and 38% Thinner than SC-89V(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max Low Voltage Drive Makes this Device Ideal for Portable Equipment1.5 W @ 4.5 V Low Threshold Levels, VGS(TH)

 9.1. Size:212K  lrc
 lnta4001nt1g s-lnta4001nt1g.pdf

S-LNTK2575LT1G S-LNTK2575LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.LNTA4001NT1GSmall Signal MOSFETS-LNTA4001NT1G20 V, 238 mA, Single, N-Channel, GateESD ProtectionFeatures Low Gate Charge for Fast Switching Small 1.6 x 1.6 mm Footprint ESD Protected Gate Pb-Free Package is AvailableSC-89 ESD Protected:2000VESD Protected:1500V S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring ESD

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top