Справочник MOSFET. LNE06R079

 

LNE06R079 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LNE06R079
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 69 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 170 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 269 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0079 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для LNE06R079

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LNE06R079 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1191K  lonten
 lnc06r079 lnd06r079 lne06r079.pdf pdf_icon

LNE06R079

LNC06R079/LND06R079/LNE06R079Lonten N-channel 60V, 90A, 7.9m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 60VDSSeffect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ V =10V 7.9mGStechnology. This advanced technology has been I 90ADespecially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching performance, and wit

 7.1. Size:1130K  lonten
 lnc06r062 lnd06r062 lne06r062.pdf pdf_icon

LNE06R079

LNC06R062/LND06R062/LNE06R062 Lonten N-channel 60V, 120A, 6.2m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field VDSS 60V effect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ VGS=10V 6.2m technology. This advanced technology has been ID 120A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and wit

 8.1. Size:1062K  lonten
 lnc06r140 lne06r140 lng06r140 lnh06r140.pdf pdf_icon

LNE06R079

LNC06R140/LNE06R140/LNG06R140/LNH06R140Lonten N-channel 60V, 45A, 14m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 60VDSSeffect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ V =10V 14mGStechnology. This advanced technology has been I 45ADespecially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching performance,

 8.2. Size:928K  lonten
 lnc06r110 lne06r110.pdf pdf_icon

LNE06R079

LNC06R110/LNE06R110Lonten N-channel 60V, 60A, 11m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 60VDSSeffect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ V =10V 11mGStechnology. This advanced technology has been I 60ADespecially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching performance, and withstand hig

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: AOT5N100 | IXFN44N50

 

 
Back to Top

 


 
.