LNH05R075 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: LNH05R075
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.8 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 58.2 nC
trⓘ - Время нарастания: 26 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
Тип корпуса: TO-251
LNH05R075 Datasheet (PDF)
lnh05r075 lng05r075.pdf
LNH05R075/LNG05R075Lonten N-channel 50V, 80A, 7.5m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 50VDSSeffect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ V =10V 7.5mGStechnology. This advanced technology has been I 80ADespecially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching performance, and withstand h
lnh05r155 lng05r155.pdf
LNH05R155/LNG05R155Lonten N-channel 50V, 40A, 15.5m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 50VDSSeffect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ V =10V 15.5mGStechnology. This advanced technology has been I 40ADespecially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching performance, and withstand
lnh05r230 lng05r230.pdf
LNH05R230/LNG05R230Lonten N-channel 50V, 32A, 23m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 50VDSSeffect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ V =10V 23mGStechnology. This advanced technology has been I 32ADespecially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching performance, and withstand hig
lnh05r100 lng05r100.pdf
LNH05R100/LNG05R100Lonten N-channel 50V, 64A, 10m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 50VDSSeffect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ V =10V 10mGStechnology. This advanced technology has been I 64ADespecially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching performance, and withstand hig
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918