Справочник MOSFET. LSD60R070HT

 

LSD60R070HT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: LSD60R070HT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 68 nC
   trⓘ - Время нарастания: 66.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 158 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F

 Аналог (замена) для LSD60R070HT

 

 

LSD60R070HT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1049K  lonten
 lsb60r070ht lsd60r070ht.pdf

LSD60R070HT LSD60R070HT

LSB60R070HT/ LSD60R070HTLonFETLonten N-channel 600V, 47A, 0.07 LonFETTM Power MOSFETDescription Product SummaryLonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 650VDS j,maxadvanced super junction technology. The resulting R 0.07DS(on),maxdevice has extremely low on resistance, making it I 141ADMespecially suitable for applications which require Q 68nCg,typsuperior pow

 7.1. Size:934K  lonten
 lsb60r092gf lsd60r092gf lse60r092gf.pdf

LSD60R070HT LSD60R070HT

LSB60R092GF/LSD60R092GF/LSE60R092GF LonFET Lonten N-channel 600V, 40A, 0.092 LonFETTM Power MOSFET Description Product Summary LonFETTM Power MOSFET is fabricated using VDS @ Tj,max 650V advanced super junction technology. The resulting RDS(on),max 0.092 device has extremely low on resistance, making it IDM 120A especially suitable for applications which require Qg,typ 66nC

 7.2. Size:941K  lonten
 lsb60r092gt lsd60r092gt lse60r092gt.pdf

LSD60R070HT LSD60R070HT

LSB60R092GT/LSD60R092GT/LSE60R092GT LonFET Lonten N-channel 600V, 40A, 0.092 LonFETTM Power MOSFET Description Product Summary LonFETTM Power MOSFET is fabricated using VDS @ Tj,max 650V advanced super junction technology. The resulting RDS(on),max 0.092 device has extremely low on resistance, making it IDM 120A especially suitable for applications which require Qg,typ 66nC

 7.3. Size:1047K  lonten
 lsb60r099ht lsd60r099ht lse60r099ht.pdf

LSD60R070HT LSD60R070HT

LSB60R099HT/LSD60R099HT/LSE60R099HTLonFETLonten N-channel 600V, 40A, 0.099 LonFETTM Power MOSFETDescription Product SummaryLonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 650VDS j,maxadvanced super junction technology. The resulting R 0.099DS(on),maxdevice has extremely low on resistance, making it I 120ADMespecially suitable for applications which require Q 48nCg,typ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top