Справочник MOSFET. LSD80R2K8GT

 

LSD80R2K8GT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LSD80R2K8GT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7.7 nC
   trⓘ - Время нарастания: 33.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 8.78 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

LSD80R2K8GT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:873K  lonten
 lsd80r2k8gt.pdf pdf_icon

LSD80R2K8GT

LSD80R2K8GTLonFETLonten N-channel 800V, 2A, 2.8 LonFETTM Power MOSFETDescription Product SummaryLonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 850VDS j,maxadvanced super junction technology. The resulting R 2.8DS(on),maxdevice has extremely low on resistance, making it I 5ADMespecially suitable for applications which require Q 7.7nCg,typsuperior power density and ou

 8.1. Size:1396K  lonten
 lsc80r680gt lsd80r680gt lse80r680gt lsf80r680gt lsg80r680gt lsh80r680gt.pdf pdf_icon

LSD80R2K8GT

LSC80R680GT/LSD80R680GT/LSE80R680GT/LSF80R680GT/LSG80R680GT/LSH80R680GTLonFETLonten N-channel 800V, 8A, 0.68 LonFETTM Power MOSFETDescription Product SummaryLonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 850VDS j,maxadvanced super junction technology. The resulting R 0.68DS(on),maxdevice has extremely low on resistance, making it I 8ADMespecially suitable for applicat

 8.2. Size:1307K  lonten
 lsc80r980gt lsd80r980gt lse80r980gt lsf80r980gt lsg80r980gt lsh80r980gt.pdf pdf_icon

LSD80R2K8GT

LSC80R980GT/LSD80R980GT/LSE80R980GT/LSF80R980GT/LSG80R980GT/LSH80R980GTLonFETLonten N-channel 800V, 5A, 0.98 LonFETTM Power MOSFETDescription Product SummaryLonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 850VDS j,maxadvanced super junction technology. The resulting R 0.98DS(on),maxdevice has extremely low on resistance, making it I 5ADMespecially suitable for applicat

 8.3. Size:1197K  lonten
 lsb80r350gt lsc80r350gt lsd80r350gt lse80r350gt lsf80r350gt.pdf pdf_icon

LSD80R2K8GT

LSB80R350GT /LSC80R350GT/LSD80R350GT/LSE80R350GT/LSF80R350GTLonFETLonten N-channel 800V, 15A, 0.35 LonFETTM Power MOSFETDescription Product SummaryLonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 850VDS j,maxadvanced super junction technology. The R 0.35DS(on),maxresulting device has extremely low on resistance, I 45ADMmaking it especially suitable for applications which

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.