AO4842-MS
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AO4842-MS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20
V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 6
A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150
°C
Qgⓘ -
Общий заряд затвора: 5.2
nC
trⓘ -
Время нарастания: 2.5
ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 45
pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03
Ohm
Тип корпуса:
SOP8
Аналог (замена) для AO4842-MS
AO4842-MS
Datasheet (PDF)
..1. Size:1402K msksemi
ao4842-ms.pdf 
www.msksemi.comAO4842-MSSemiconductor CompianceD1ProductD1D2SummaryD230VVDSI (at V =10V) 6AD GSS1G1R (at V =10V)
8.1. Size:377K aosemi
ao4842.pdf 
AO4842AO484230V Dual N-Channel MOSFET30V Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryGeneral Description Product SummaryThe AO4842 uses advanced trench technology to VDS (V) = 30VThe AO4842 uses advanced trench technology to VDS (V) = 30Vprovide excellent RDS(ON) and low gate charge. The ID = 7.7A (VGS = 10V)provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The ID = 7
8.2. Size:1610K kexin
ao4842.pdf 
SMD Type MOSFETDual N-Channel MOSFETAO4842 (KO4842)SOP-8 Unit:mm Features VDS (V) = 30V ID = 7.7A (VGS = 10V)1.50 0.15 RDS(ON) 21m (VGS = 10V) RDS(ON) 30m (VGS = 4.5V)1 S2 5 D1 6 D12 G27 D23 S18 D24 G1D2D2D1D1G2G2G1G1S2S2S1S1 Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Sourc
9.1. Size:311K aosemi
ao4840.pdf 
AO484040V Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS40VThe AO4840 uses advanced trench technologyMOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gate ID (at VGS=10V) 6Acharge. This dual device is suitable for use as a load RDS(ON) (at VGS=10V)
9.2. Size:338K aosemi
ao4840e.pdf 
AO4840E40V Dual N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Advanced trench technology 40V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 6A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
9.3. Size:1195K kexin
ao4840.pdf 
SMD Type MOSFETDual N-Channel MOSFETAO4840 (KO4840)SOP-8 Unit:mm Features VDS (V) = 40V1.50 0.15 ID = 6A (VGS = 10V) RDS(ON) 30m (VGS = 10V) RDS(ON) 38m (VGS = 4.5V)1 S2 5 D1 6 D12 G27 D23 S18 D24 G1D1 D2G1 G2S1 S2 Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 40V Gate-So
9.4. Size:907K cn vbsemi
ao4840.pdf 
AO4840www.VBsemi.twDual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.040RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.055ID (A) per leg 7Configuration DualSO-8 DualD2D1 D2D2 5D16D178G1 G24G233S1S2S2 S222GG111N-Channel MOSFET N-Channel M
Другие MOSFET... FMP36-015P
, FMP76-01T
, GMM3x100-01X1-SMD
, FDMS0306AS
, GMM3x120-0075X2-SMD
, FDMS0300S
, GMM3x160-0055X2-SMD
, FDMC7200S
, STP80NF70
, FDMC7200
, GMM3x60-015X2-SMD
, FDMC0310AS
, GWM100-0085X1-SL
, FDMS3610S
, GWM100-0085X1-SMD
, FDMS3606S
, GWM100-01X1-SL
.
