FCP190N65S3R0. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: FCP190N65S3R0
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 144 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для FCP190N65S3R0
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
FCP190N65S3R0 даташит
fcp190n65s3r0.pdf
FCP190N65S3R0 MOSFET Power, N-Channel, SUPERFET III, Easy Drive 650 V, 17 A, 190 mW Description www.onsemi.com SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate VDSS RDS(ON) MAX ID MAX charge performance. This advanced technology is tailor
fcp190n65s3.pdf
FCP190N65S3 MOSFET Power, N-Channel, SUPERFET III, Easy Drive 650 V, 17 A, 190 mW Description www.onsemi.com SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge VDSS RDS(ON) MAX ID MAX balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate 650 V 190 mW @ 10 V 17 A charge performance. This advanc
fcp190n65s3.pdf
INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor FCP190N65S3 FEATURES With TO-220 packaging High speed switching Very high commutation ruggedness Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operationz APPLICATIONS PFC stages LCD & PDP TV Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXI
fcp190n65f.pdf
August 2014 FCP190N65F N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 650 V, 20.6 A, 190 m Features Description 700 V @ TJ = 150 C SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Typ. RDS(on) = 168 m charge balance technology for outstanding low on-resistance Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 60 nC)
Другие MOSFET... FCMT099N65S3 , FCMT125N65S3 , FCMT180N65S3 , FCMT250N65S3 , FCP125N65S3R0 , FCP165N65S3 , FCP165N65S3R0 , FCP190N60_GF102 , IRFB4227 , FCP220N80 , FCP360N65S3R0 , FCP400N80Z , FCP600N65S3R0 , FCPF165N65S3R0L , FCPF190N60-F152 , FCPF190N65S3L1 , FCPF190N65S3R0L .
History: G08N03D2
History: G08N03D2
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
2sc2240 | bc547 transistor equivalent | 2sa1943 | tip41c datasheet | mje15032 | tip32c datasheet | mje15032g | irf1404




