Справочник MOSFET. FCPF165N65S3R0L

 

FCPF165N65S3R0L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FCPF165N65S3R0L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.165 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для FCPF165N65S3R0L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCPF165N65S3R0L Datasheet (PDF)

 0.1. Size:328K  onsemi
 fcpf165n65s3r0l.pdf pdf_icon

FCPF165N65S3R0L

FCPF165N65S3R0LMOSFET Power, N-Channel,SUPERFET III, Easy Drive650 V, 19 A, 165 mWDescriptionwww.onsemi.comSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargebalance technology for outstanding low on-resistance and lower gateVDS RDS(ON) MAX ID MAXcharge performance. This advanced technology is tailo

 2.1. Size:289K  1
 fcpf165n65s3l1.pdf pdf_icon

FCPF165N65S3R0L

FCPF165N65S3L1MOSFET Power, N-Channel,SUPERFET III, Easy Drive650 V, 19 A, 165 mWDescription www.onsemi.comSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargeVDSS RDS(ON) MAX ID MAXbalance technology for outstanding low on-resistance and lower gate650 V 165 mW @ 10 V 19 Acharge performance. This adv

 2.2. Size:320K  onsemi
 fcpf165n65s3l1.pdf pdf_icon

FCPF165N65S3R0L

FCPF165N65S3L1MOSFET Power, N-Channel,SUPERFET III, Easy Drive650 V, 19 A, 165 mWDescription www.onsemi.comSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargeVDSS RDS(ON) MAX ID MAXbalance technology for outstanding low on-resistance and lower gate650 V 165 mW @ 10 V 19 Acharge performance. This adv

 2.3. Size:247K  inchange semiconductor
 fcpf165n65s3l1.pdf pdf_icon

FCPF165N65S3R0L

isc N-Channel MOSFET Transistor FCPF165N65S3L1FEATURESWith TO-220F packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYM

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FCP165N65S3 , FCP165N65S3R0 , FCP190N60_GF102 , FCP190N65S3R0 , FCP220N80 , FCP360N65S3R0 , FCP400N80Z , FCP600N65S3R0 , IRF9540 , FCPF190N60-F152 , FCPF190N65S3L1 , FCPF190N65S3R0L , FCPF250N65S3R0L , FCPF360N65S3R0L , FCPF36N60NT , FCPF380N60_F152 , FCPF600N60ZL1 .

History: HUF75639S3 | RU6085H | TK6A55DA | SWF4N70K | NDH8304P | SQR50N03-06P | STM8458

 

 
Back to Top

 


 
.