FCPF250N65S3R0L - описание и поиск аналогов

 

FCPF250N65S3R0L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FCPF250N65S3R0L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для FCPF250N65S3R0L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCPF250N65S3R0L даташит

 0.1. Size:298K  onsemi
 fcpf250n65s3r0l.pdf pdf_icon

FCPF250N65S3R0L

FCPF250N65S3R0L MOSFET Power, N-Channel, SUPERFET III, Easy Drive 650 V, 12 A, 250 mW Description www.onsemi.com SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate VDSS RDS(ON) MAX ID MAX charge performance. This advanced technology is tail

 2.1. Size:266K  1
 fcpf250n65s3l1.pdf pdf_icon

FCPF250N65S3R0L

FCPF250N65S3L1 MOSFET Power, N-Channel, SUPERFET III, Easy Drive 650 V, 12 A, 250 mW Description www.onsemi.com SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate VDSS RDS(ON) MAX ID MAX charge performance. This advanced technology is tailo

 2.2. Size:275K  onsemi
 fcpf250n65s3l1.pdf pdf_icon

FCPF250N65S3R0L

FCPF250N65S3L1 Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET) III, Easy Drive, 650 V, 12 A, 250 mW Description www.onsemi.com SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge VDSS RDS(ON) MAX ID MAX balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailore

 2.3. Size:236K  inchange semiconductor
 fcpf250n65s3.pdf pdf_icon

FCPF250N65S3R0L

isc N-Channel MOSFET Transistor FCPF250N65S3 FEATURES Drain-source on-resistance RDS(on) 250m @10V Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS High fast switching Power Supply ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 6

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FCP220N80 , FCP360N65S3R0 , FCP400N80Z , FCP600N65S3R0 , FCPF165N65S3R0L , FCPF190N60-F152 , FCPF190N65S3L1 , FCPF190N65S3R0L , IRFP250N , FCPF360N65S3R0L , FCPF36N60NT , FCPF380N60_F152 , FCPF600N60ZL1 , FCPF600N65S3R0L , FCU360N65S3R0 , FCU600N65S3R0 , FDB0105N407L .

History: FDS3590 | APM3054NUC

 

 

 

 

↑ Back to Top
.