Справочник MOSFET. FCPF250N65S3R0L

 

FCPF250N65S3R0L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FCPF250N65S3R0L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для FCPF250N65S3R0L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCPF250N65S3R0L Datasheet (PDF)

 0.1. Size:298K  onsemi
 fcpf250n65s3r0l.pdf pdf_icon

FCPF250N65S3R0L

FCPF250N65S3R0LMOSFET Power, N-Channel,SUPERFET III, Easy Drive650 V, 12 A, 250 mWDescriptionwww.onsemi.comSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargebalance technology for outstanding low on-resistance and lower gateVDSS RDS(ON) MAX ID MAXcharge performance. This advanced technology is tail

 2.1. Size:266K  1
 fcpf250n65s3l1.pdf pdf_icon

FCPF250N65S3R0L

FCPF250N65S3L1MOSFET Power, N-Channel,SUPERFET III, Easy Drive650 V, 12 A, 250 mWDescriptionwww.onsemi.comSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargebalance technology for outstanding low on-resistance and lower gateVDSS RDS(ON) MAX ID MAXcharge performance. This advanced technology is tailo

 2.2. Size:275K  onsemi
 fcpf250n65s3l1.pdf pdf_icon

FCPF250N65S3R0L

FCPF250N65S3L1Power MOSFET, N-Channel,SUPERFET) III, Easy Drive,650 V, 12 A, 250 mWDescriptionwww.onsemi.comSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargeVDSS RDS(ON) MAX ID MAXbalance technology for outstanding low on-resistance and lower gatecharge performance. This advanced technology is tailore

 2.3. Size:236K  inchange semiconductor
 fcpf250n65s3.pdf pdf_icon

FCPF250N65S3R0L

isc N-Channel MOSFET Transistor FCPF250N65S3FEATURES Drain-source on-resistance:RDS(on) 250m@10VFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh fast switching Power SupplyABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 6

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FCP220N80 , FCP360N65S3R0 , FCP400N80Z , FCP600N65S3R0 , FCPF165N65S3R0L , FCPF190N60-F152 , FCPF190N65S3L1 , FCPF190N65S3R0L , AON7408 , FCPF360N65S3R0L , FCPF36N60NT , FCPF380N60_F152 , FCPF600N60ZL1 , FCPF600N65S3R0L , FCU360N65S3R0 , FCU600N65S3R0 , FDB0105N407L .

History: APT10M09B2VFR | WVM9.5N100 | FDB9403L-F085 | SI5948DU | SUV90N06-05 | VN66AK

 

 
Back to Top

 


 
.