STP4N100XI - описание и поиск аналогов

 

STP4N100XI. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP4N100XI

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm

Тип корпуса: ISOWATT221

Аналог (замена) для STP4N100XI

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP4N100XI даташит

 ..1. Size:291K  st
stp4n100xi.pdfpdf_icon

STP4N100XI

 6.1. Size:366K  st
stp4n100.pdfpdf_icon

STP4N100XI

STP4N100 STP4N100FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP4N100 1000 V

 8.1. Size:756K  st
stfw4n150 stp4n150 stw4n150.pdfpdf_icon

STP4N100XI

STFW4N150 STP4N150, STW4N150 N-channel 1500 V, 5 , 4 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-220, TO-247, TO-3PF Features Type VDSS RDS(on) max ID Pw STFW4N150 1500 V

 9.1. Size:664K  st
stp4nk50z.pdfpdf_icon

STP4N100XI

STP4NK50Z - STP4NK50ZFP STD4NK50Z - STD4NK50Z-1 N-CHANNEL 500V - 2.4 - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STP4NK50Z 500 V

Другие MOSFET... STP3NA80 , STP3NA80FI , STP40N05 , STP40N05FI , STP40N10 , STP40N10FI , STP4N100 , STP4N100FI , IRFP064N , STP4N40 , STP4N40FI , STP4N80XI , STP4N90 , STP4N90FI , STP4NA60 , STP4NA60FI , STP4NA80 .

History: SSS4N90AS | IRFZ34E

 

 

 


 
↑ Back to Top
.