Справочник MOSFET. STP4N100XI

 

STP4N100XI Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP4N100XI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 130 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
   Тип корпуса: ISOWATT221
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STP4N100XI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:291K  st
stp4n100xi.pdfpdf_icon

STP4N100XI

 6.1. Size:366K  st
stp4n100.pdfpdf_icon

STP4N100XI

STP4N100STP4N100FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP4N100 1000 V

 8.1. Size:756K  st
stfw4n150 stp4n150 stw4n150.pdfpdf_icon

STP4N100XI

STFW4N150STP4N150, STW4N150N-channel 1500 V, 5 , 4 A, PowerMESH Power MOSFETin TO-220, TO-247, TO-3PFFeaturesType VDSS RDS(on) max ID PwSTFW4N150 1500 V

 9.1. Size:664K  st
stp4nk50z.pdfpdf_icon

STP4N100XI

STP4NK50Z - STP4NK50ZFPSTD4NK50Z - STD4NK50Z-1N-CHANNEL 500V - 2.4 - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAKZener-Protected SuperMESHPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTP4NK50Z 500 V

Другие MOSFET... STP3NA80 , STP3NA80FI , STP40N05 , STP40N05FI , STP40N10 , STP40N10FI , STP4N100 , STP4N100FI , 8205A , STP4N40 , STP4N40FI , STP4N80XI , STP4N90 , STP4N90FI , STP4NA60 , STP4NA60FI , STP4NA80 .

History: NP100P04PLG | NVD5C648NL | STP5NB40 | FHF13N50A | UF630 | 2SK2045LS | 2SK3532

 

 
Back to Top

 


 
.