STP4N80XI - аналоги и даташиты транзистора

 

STP4N80XI - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: STP4N80XI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7 Ohm
   Тип корпуса: ISOWATT221

 Аналог (замена) для STP4N80XI

 

STP4N80XI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:286K  st
stp4n80xi.pdfpdf_icon

STP4N80XI

 7.1. Size:1294K  st
std4n80k5 stf4n80k5 stp4n80k5 stu4n80k5.pdfpdf_icon

STP4N80XI

STD4N80K5, STF4N80K5, STP4N80K5, STU4N80K5 N-channel 800 V, 2.1 typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packages Datasheet - production data Features TAB Order code VDS RDS(on) max. ID PTOT 3 1 STD4N80K5 60 W 3 DPAK 2 STF4N80K5 20 W 1 800 V 2.5 3 A TO-220FP TAB STP4N80K5 60 W TAB STU4N80K5 Industry s lowest RDS(on) x area 3

 9.1. Size:664K  st
stp4nk50z.pdfpdf_icon

STP4N80XI

STP4NK50Z - STP4NK50ZFP STD4NK50Z - STD4NK50Z-1 N-CHANNEL 500V - 2.4 - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STP4NK50Z 500 V

 9.2. Size:338K  st
stp4nc60a.pdfpdf_icon

STP4N80XI

STP4NC60A - STP4NC60AFP STB4NC60A-1 N-CHANNEL 600V - 1.8 - 4.2A TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMesh II MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP4NC60A 600V

Другие MOSFET... STP40N05FI , STP40N10 , STP40N10FI , STP4N100 , STP4N100FI , STP4N100XI , STP4N40 , STP4N40FI , IRFZ44N , STP4N90 , STP4N90FI , STP4NA60 , STP4NA60FI , STP4NA80 , STP4NA80FI , STP50N05L , STP50N05LFI .

History: PTD4N60 | PTF7N65 | PTP10HN10 | PTN3006 | ZVN3310ASTOB | PTD7N65 | SIHG47N60AEF

 

 
Back to Top

 


 
.