STP4N80XI datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STP4N80XI  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7 Ohm

Тип корпуса: ISOWATT221

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для STP4N80XI

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP4N80XI даташит

 ..1. Size:286K  st
stp4n80xi.pdfpdf_icon

STP4N80XI

 7.1. Size:1294K  st
std4n80k5 stf4n80k5 stp4n80k5 stu4n80k5.pdfpdf_icon

STP4N80XI

STD4N80K5, STF4N80K5, STP4N80K5, STU4N80K5 N-channel 800 V, 2.1 typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packages Datasheet - production data Features TAB Order code VDS RDS(on) max. ID PTOT 3 1 STD4N80K5 60 W 3 DPAK 2 STF4N80K5 20 W 1 800 V 2.5 3 A TO-220FP TAB STP4N80K5 60 W TAB STU4N80K5 Industry s lowest RDS(on) x area 3

 9.1. Size:664K  st
stp4nk50z.pdfpdf_icon

STP4N80XI

STP4NK50Z - STP4NK50ZFP STD4NK50Z - STD4NK50Z-1 N-CHANNEL 500V - 2.4 - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STP4NK50Z 500 V

 9.2. Size:338K  st
stp4nc60a.pdfpdf_icon

STP4N80XI

STP4NC60A - STP4NC60AFP STB4NC60A-1 N-CHANNEL 600V - 1.8 - 4.2A TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMesh II MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP4NC60A 600V

Другие IGBT... STP40N05FI, STP40N10, STP40N10FI, STP4N100, STP4N100FI, STP4N100XI, STP4N40, STP4N40FI, IRFZ44N, STP4N90, STP4N90FI, STP4NA60, STP4NA60FI, STP4NA80, STP4NA80FI, STP50N05L, STP50N05LFI