Справочник MOSFET. NX138AK

 

NX138AK Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NX138AK
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.265 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.19 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2.3 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для NX138AK

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NX138AK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:781K  nxp
 nx138ak.pdf pdf_icon

NX138AK

NX138AK60 V, N-channel Tench MOSFET10 June 2016 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Low threshold voltage Very fast switching Trench MOSFET technology ElectroStatic Discharge (

 0.1. Size:783K  nxp
 nx138aks.pdf pdf_icon

NX138AK

NX138AKS60 V, dual N-channel Trench MOSFET15 June 2016 Product data sheet1. General descriptionDual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363(SC-88) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Low threshold voltage Very fast switching Trench MOSFET technology ElectroSt

 9.1. Size:728K  nxp
 nx138bk.pdf pdf_icon

NX138AK

NX138BK60 V, single N-channel Trench MOSFET29 January 2016 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Low threshold voltage Very fast switching Trench MOSFET technology ElectroStatic

 9.2. Size:747K  nxp
 nx138bkw.pdf pdf_icon

NX138AK

NX138BKW60 V, N-channel Trench MOSFET15 June 2016 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT323(SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Low threshold voltage Very fast switching Trench MOSFET technology ElectroStatic Disch

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... BUK9M9R1-40E , BUK9M9R5-40H , BUK9Y1R3-40H , BUK9Y1R6-40H , BUK9Y1R9-40H , BUK9Y2R4-40H , BUK9Y2R8-40H , GAN063-650WSA , TK10A60D , NX138AKS , NX138BK , NX138BKS , NX138BKW , NX3008NBKMB , NX3008PBKMB , NX3020NAKS , NX3020NAKV .

History: DMN3016LK3 | IXTA42N15T | DMN32D2LFB4

 

 
Back to Top

 


 
.