Справочник MOSFET. NX138BKW

 

NX138BKW Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NX138BKW
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.266 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.21 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3.1 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT323
 

 Аналог (замена) для NX138BKW

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NX138BKW Datasheet (PDF)

 ..1. Size:747K  nxp
 nx138bkw.pdf pdf_icon

NX138BKW

NX138BKW60 V, N-channel Trench MOSFET15 June 2016 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT323(SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Low threshold voltage Very fast switching Trench MOSFET technology ElectroStatic Disch

 7.1. Size:728K  nxp
 nx138bk.pdf pdf_icon

NX138BKW

NX138BK60 V, single N-channel Trench MOSFET29 January 2016 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Low threshold voltage Very fast switching Trench MOSFET technology ElectroStatic

 7.2. Size:754K  nxp
 nx138bks.pdf pdf_icon

NX138BKW

NX138BKS60 V, dual N-channel Trench MOSFET15 June 2016 Product data sheet1. General descriptionDual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363 (SC-88)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Low threshold voltage Very fast switching Trench MOSFET technology ElectroSta

 9.1. Size:783K  nxp
 nx138aks.pdf pdf_icon

NX138BKW

NX138AKS60 V, dual N-channel Trench MOSFET15 June 2016 Product data sheet1. General descriptionDual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363(SC-88) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Low threshold voltage Very fast switching Trench MOSFET technology ElectroSt

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... BUK9Y1R9-40H , BUK9Y2R4-40H , BUK9Y2R8-40H , GAN063-650WSA , NX138AK , NX138AKS , NX138BK , NX138BKS , IRF530 , NX3008NBKMB , NX3008PBKMB , NX3020NAKS , NX3020NAKV , NX3020NAKW , NX6020CAKS , NX7002AKA , NX7002BKH .

History: IXFH30N50Q3 | KF7N65FM | STY80NM60N | IRF1407PBF

 

 
Back to Top

 


 
.