NX138BKW. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NX138BKW

Маркировка: B8*

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.266 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.21 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 0.5 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3.1 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm

Тип корпуса: SOT323

Аналог (замена) для NX138BKW

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NX138BKW даташит

 ..1. Size:747K  nxp
 nx138bkw.pdf pdf_icon

NX138BKW

NX138BKW 60 V, N-channel Trench MOSFET 15 June 2016 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT323 (SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Low threshold voltage Very fast switching Trench MOSFET technology ElectroStatic Disch

 7.1. Size:728K  nxp
 nx138bk.pdf pdf_icon

NX138BKW

NX138BK 60 V, single N-channel Trench MOSFET 29 January 2016 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Low threshold voltage Very fast switching Trench MOSFET technology ElectroStatic

 7.2. Size:754K  nxp
 nx138bks.pdf pdf_icon

NX138BKW

NX138BKS 60 V, dual N-channel Trench MOSFET 15 June 2016 Product data sheet 1. General description Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363 (SC-88) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Low threshold voltage Very fast switching Trench MOSFET technology ElectroSta

 9.1. Size:783K  nxp
 nx138aks.pdf pdf_icon

NX138BKW

NX138AKS 60 V, dual N-channel Trench MOSFET 15 June 2016 Product data sheet 1. General description Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363 (SC-88) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Low threshold voltage Very fast switching Trench MOSFET technology ElectroSt

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... BUK9Y1R9-40H, BUK9Y2R4-40H, BUK9Y2R8-40H, GAN063-650WSA, NX138AK, NX138AKS, NX138BK, NX138BKS, IRF1010E, NX3008NBKMB, NX3008PBKMB, NX3020NAKS, NX3020NAKV, NX3020NAKW, NX6020CAKS, NX7002AKA, NX7002BKH