NX3008NBKMB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NX3008NBKMB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.53 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.1 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 0.52 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 6.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: SOT883B

Аналог (замена) для NX3008NBKMB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NX3008NBKMB даташит

 ..1. Size:1649K  nxp
 nx3008nbkmb.pdf pdf_icon

NX3008NBKMB

NX3008NBKMB 30 V, single N-channel Trench MOSFET Rev. 1 11 May 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Very fast switching ESD protection up

 5.1. Size:1602K  nxp
 nx3008nbk.pdf pdf_icon

NX3008NBKMB

NX3008NBK 30 V, 400 mA N-channel Trench MOSFET Rev. 1 2 August 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Very fast switching ESD protection up to 2 kV Low t

 5.2. Size:1598K  nxp
 nx3008nbkw.pdf pdf_icon

NX3008NBKMB

NX3008NBKW 30 V, 350 mA N-channel Trench MOSFET Rev. 1 2 August 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT323 (SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Very fast switching ESD protection up to 2 kV Low thre

 5.3. Size:1606K  nxp
 nx3008nbkv.pdf pdf_icon

NX3008NBKMB

NX3008NBKV 30 V, 400 mA dual N-channel Trench MOSFET Rev. 1 1 August 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an ultra small and flat lead SOT666 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Very fast switching ESD protection

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... BUK9Y2R4-40H, BUK9Y2R8-40H, GAN063-650WSA, NX138AK, NX138AKS, NX138BK, NX138BKS, NX138BKW, IRFB3607, NX3008PBKMB, NX3020NAKS, NX3020NAKV, NX3020NAKW, NX6020CAKS, NX7002AKA, NX7002BKH, PMCM4401UNE