PMDXB950UPEL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMDXB950UPEL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.265 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 14 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: SOT1216

Аналог (замена) для PMDXB950UPEL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMDXB950UPEL даташит

 ..1. Size:732K  nxp
 pmdxb950upel.pdf pdf_icon

PMDXB950UPEL

PMDXB950UPEL 20 V, dual P-channel Trench MOSFET 28 June 2016 Product data sheet 1. General description Dual P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Low leakage current Trench MOSFET technology Leadless ultra s

 3.1. Size:246K  nxp
 pmdxb950upe.pdf pdf_icon

PMDXB950UPEL

PMDXB950UPE 20 V, dual P-channel Trench MOSFET 30 June 2015 Product data sheet 1. General description Dual P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Leadless ultra small and ultra thin SMD pl

 9.1. Size:249K  nxp
 pmdxb600une.pdf pdf_icon

PMDXB950UPEL

PMDXB600UNE 20 V, dual N-channel Trench MOSFET 1 July 2015 Product data sheet 1. General description Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Leadless ultra small and ultra thin SMD pla

 9.2. Size:233K  nxp
 pmdxb1200upe.pdf pdf_icon

PMDXB950UPEL

PMDXB1200UPE 30 V, dual P-channel Trench MOSFET 25 March 2015 Product data sheet 1. General description Dual P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Low threshold voltage Leadless ultra small and ultra thin SMD pla

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PMCM6501VNE, PMCM650CUNE, PMCM950ENE, PMCXB1000UE, PMCXB900UEL, PMDPB56XNEA, PMDPB95XNE2, PMDXB600UNEL, 20N50, PMF250XNE, PMF63UNE, PMH1200UPE, PMH950UPE, PMN120ENE, PMN120ENEA, PMN16XNE, PMN20ENA