PMDXB950UPEL - аналоги и даташиты транзистора

 

PMDXB950UPEL - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PMDXB950UPEL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.265 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 14 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: SOT1216
 

 Аналог (замена) для PMDXB950UPEL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMDXB950UPEL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:732K  nxp
 pmdxb950upel.pdf pdf_icon

PMDXB950UPEL

PMDXB950UPEL20 V, dual P-channel Trench MOSFET28 June 2016 Product data sheet1. General descriptionDual P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Low leakage current Trench MOSFET technology Leadless ultra s

 3.1. Size:246K  nxp
 pmdxb950upe.pdf pdf_icon

PMDXB950UPEL

PMDXB950UPE20 V, dual P-channel Trench MOSFET30 June 2015 Product data sheet1. General descriptionDual P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Leadless ultra small and ultra thin SMD pl

 9.1. Size:249K  nxp
 pmdxb600une.pdf pdf_icon

PMDXB950UPEL

PMDXB600UNE20 V, dual N-channel Trench MOSFET1 July 2015 Product data sheet1. General descriptionDual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Leadless ultra small and ultra thin SMD pla

 9.2. Size:233K  nxp
 pmdxb1200upe.pdf pdf_icon

PMDXB950UPEL

PMDXB1200UPE30 V, dual P-channel Trench MOSFET25 March 2015 Product data sheet1. General descriptionDual P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Low threshold voltage Leadless ultra small and ultra thin SMD pla

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... PMCM6501VNE , PMCM650CUNE , PMCM950ENE , PMCXB1000UE , PMCXB900UEL , PMDPB56XNEA , PMDPB95XNE2 , PMDXB600UNEL , 20N50 , PMF250XNE , PMF63UNE , PMH1200UPE , PMH950UPE , PMN120ENE , PMN120ENEA , PMN16XNE , PMN20ENA .

History: APT22F80B | CEU02N9 | AM4400NE | STP60NH2LL | IRL2203NSPBF | HFU2N60S | CEU02N6G

 

 
Back to Top

 


 
.