PMN30ENEA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMN30ENEA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.667 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: TSOP6

Аналог (замена) для PMN30ENEA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMN30ENEA даташит

 ..1. Size:258K  nxp
 pmn30enea.pdf pdf_icon

PMN30ENEA

PMN30ENEA 40 V N-channel Trench MOSFET 2 April 2019 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Logic-level compatible Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology Ele

 9.1. Size:255K  nxp
 pmn30xpe.pdf pdf_icon

PMN30ENEA

PMN30XPE 20 V, P-channel Trench MOSFET 16 April 2018 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Very fast switching Trench MOSFET technology ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HB

 9.2. Size:726K  nxp
 pmn30une.pdf pdf_icon

PMN30ENEA

PMN30UNE 20 V, N-channel Trench MOSFET 29 January 2016 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching Enhanced power dissipa

 9.3. Size:731K  nxp
 pmn30xp.pdf pdf_icon

PMN30ENEA

PMN30XP 20 V, P-channel Trench MOSFET 23 February 2016 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Enhanced power dissipation capability of 1400 m

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PMN16XNE, PMN20ENA, PMN230ENE, PMN230ENEA, PMN25ENE, PMN25ENEA, PMN280ENEA, PMN28UNE, IRFZ46N, PMN30UN, PMN30UNE, PMN30XP, PMN30XPE, PMN40ENA, PMN40ENE, PMN48XPA, PMN50EPE