Справочник MOSFET. PMN30ENEA

 

PMN30ENEA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMN30ENEA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.667 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6
 

 Аналог (замена) для PMN30ENEA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMN30ENEA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:258K  nxp
 pmn30enea.pdf pdf_icon

PMN30ENEA

PMN30ENEA40 V N-channel Trench MOSFET2 April 2019 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Logic-level compatible Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology Ele

 9.1. Size:255K  nxp
 pmn30xpe.pdf pdf_icon

PMN30ENEA

PMN30XPE20 V, P-channel Trench MOSFET16 April 2018 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Very fast switching Trench MOSFET technology ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HB

 9.2. Size:726K  nxp
 pmn30une.pdf pdf_icon

PMN30ENEA

PMN30UNE20 V, N-channel Trench MOSFET29 January 2016 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching Enhanced power dissipa

 9.3. Size:731K  nxp
 pmn30xp.pdf pdf_icon

PMN30ENEA

PMN30XP20 V, P-channel Trench MOSFET23 February 2016 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Enhanced power dissipation capability of 1400 m

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... PMN16XNE , PMN20ENA , PMN230ENE , PMN230ENEA , PMN25ENE , PMN25ENEA , PMN280ENEA , PMN28UNE , STP65NF06 , PMN30UN , PMN30UNE , PMN30XP , PMN30XPE , PMN40ENA , PMN40ENE , PMN48XPA , PMN50EPE .

History: CSFR3N60LP | AP10N4R5S

 

 
Back to Top

 


 
.