PMPB10UP - аналоги и даташиты транзистора

 

PMPB10UP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PMPB10UP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 509 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0115 Ohm
   Тип корпуса: SOT1220
 

 Аналог (замена) для PMPB10UP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMPB10UP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:314K  nxp
 pmpb10up.pdf pdf_icon

PMPB10UP

PMPB10UP12 V, P-channel Trench MOSFET24 January 2020 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET technology Side wettable flanks fo

 8.1. Size:321K  nxp
 pmpb100xpea.pdf pdf_icon

PMPB10UP

PMPB100XPEA20 V, P-channel Trench MOSFET13 November 2019 Product data sheet1. General DescriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Extended temperature range Tj = 175 C Small and leadless ultra thin S

 8.2. Size:316K  nxp
 pmpb100ene.pdf pdf_icon

PMPB10UP

PMPB100ENE30 V, N-channel MOSFET26 April 2018 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Extended temperature range Tj = 175 C Small and leadless ultra thin SMD plastic

 8.3. Size:247K  nxp
 pmpb10xne.pdf pdf_icon

PMPB10UP

PMPB10XNE20 V, single N-channel Trench MOSFET30 November 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package usingTrench MOSFET technology.1.2 Features and benefits 2.2 kV ESD protection Small and leadless ult

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... PMN52XP , PMN55ENE , PMN55ENEA , PMN70EPE , PMN70XP , PMPB100ENE , PMPB100XPEA , PMPB10EN , IRF3205 , PMPB10XNEA , PMPB12UNE , PMPB12UNEA , PMPB13UP , PMPB13XNEA , PMPB14XP , PMPB15XPA , PMPB16EP .

History: OSG60R1K8DF | AP9562GP-HF | OSG55R290FF | AP9564GM | STL70N4LLF5 | OSG60R1K2PF | STB70NF3LL

 

 
Back to Top

 


 
.