PMPB20XNEA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMPB20XNEA

Маркировка: 3J

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.46 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.25 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 9.9 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 178 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: SOT1220

Аналог (замена) для PMPB20XNEA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMPB20XNEA даташит

 ..1. Size:732K  nxp
 pmpb20xnea.pdf pdf_icon

PMPB20XNEA

PMPB20XNEA 20 V, N-channel Trench MOSFET 22 February 2016 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Low threshold voltage Very fast switching Trench MOSFET technology

 7.1. Size:295K  nxp
 pmpb20xpea.pdf pdf_icon

PMPB20XNEA

PMPB20XPEA 20 V, P-channel Trench MOSFET 27 March 2018 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET technology Side wettable flanks fo

 7.2. Size:250K  nxp
 pmpb20xpe.pdf pdf_icon

PMPB20XNEA

PMPB20XPE 20 V, single P-channel Trench MOSFET 30 November 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits 2.4 kV ESD protected Small and leadless ultr

 8.1. Size:268K  nxp
 pmpb20en.pdf pdf_icon

PMPB20XNEA

PMPB20EN 30 V N-channel Trench MOSFET 14 January 2014 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Very fast switching Small and leadless ultra t

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PMPB10XNEA, PMPB12UNE, PMPB12UNEA, PMPB13UP, PMPB13XNEA, PMPB14XP, PMPB15XPA, PMPB16EP, IRF640, PMPB20XPEA, PMPB23XNEA, PMPB24EP, PMPB25ENE, PMPB27EPA, PMPB29XNEA, PMPB29XPEA, PMPB30XPE