Справочник MOSFET. PMPB29XNEA

 

PMPB29XNEA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMPB29XNEA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm
   Тип корпуса: SOT1220
 

 Аналог (замена) для PMPB29XNEA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMPB29XNEA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:288K  nxp
 pmpb29xnea.pdf pdf_icon

PMPB29XNEA

PMPB29XNEA30 V, N-channel Trench MOSFET10 September 2018 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET technology Side wettable flank

 5.1. Size:258K  nxp
 pmpb29xne.pdf pdf_icon

PMPB29XNEA

PMPB29XNE30 V, single N-channel Trench MOSFET26 November 2014 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package usingTrench MOSFET technology.2. Features and benefits 1 kV ESD protection Small and leadless ultra thin SMD plastic pack

 7.1. Size:278K  nxp
 pmpb29xpea.pdf pdf_icon

PMPB29XNEA

PMPB29XPEA20 V, P-channel Trench MOSFET27 March 2018 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET technology Side wettable flanks fo

 7.2. Size:233K  nxp
 pmpb29xpe.pdf pdf_icon

PMPB29XNEA

PMPB29XPE20 V, single P-channel Trench MOSFET5 December 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package usingTrench MOSFET technology.1.2 Features and benefits 2.3 kV ESD protected Small and leadless ultra

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... PMPB15XPA , PMPB16EP , PMPB20XNEA , PMPB20XPEA , PMPB23XNEA , PMPB24EP , PMPB25ENE , PMPB27EPA , IRF3710 , PMPB29XPEA , PMPB30XPE , PMPB43XPEA , PMPB48EPA , PMPB50ENE , PMPB55ENEA , PMPB55XNEA , PMPB8XN .

History: DMG10N60SCT

 

 
Back to Top

 


 
.