Справочник MOSFET. PMV164ENEA

 

PMV164ENEA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMV164ENEA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.64 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 16 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.218 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для PMV164ENEA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMV164ENEA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:270K  nxp
 pmv164enea.pdf pdf_icon

PMV164ENEA

PMV164ENEA60 V, N-channel Trench MOSFET7 May 2019 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Logic-level compatible Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology El

 9.1. Size:255K  nxp
 pmv16xn.pdf pdf_icon

PMV164ENEA

PMV16XN20 V, N-channel Trench MOSFET11 November 2014 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching Enhanced power diss

 9.2. Size:1631K  nxp
 pmv160up.pdf pdf_icon

PMV164ENEA

PMV160UP20 V, 1.2 A P-channel Trench MOSFETRev. 2 6 December 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits 1.8 V RDSon rated Trench MOSFET technology Very fast

 9.3. Size:348K  tysemi
 pmv160up.pdf pdf_icon

PMV164ENEA

Product specificationPMV160UP20 V, 1.2 A P-channel Trench MOSFETRev. 2 6 December 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits 1.8 V RDSon rated Trench MOSFET tec

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... PMPB8XN , PMT200EPE , PMT280ENEA , PMT560ENEA , PMV100ENEA , PMV100XPEA , PMV15ENEA , PMV15UNEA , K4145 , PMV19XNEA , PMV20XNEA , PMV230ENEA , PMV25ENEA , PMV27UPEA , PMV280ENEA , PMV28ENEA , PMV28UNEA .

History: HGN093N12S | FQPF5N50CYDTU | IRFS9N60APBF

 

 
Back to Top

 


 
.