PMV450ENEA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PMV450ENEA
Маркировка: DZ*
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.323 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.7 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 2.4 nC
Время нарастания (tr): 6 ns
Выходная емкость (Cd): 10 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.38 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для PMV450ENEA
PMV450ENEA Datasheet (PDF)
pmv450enea.pdf
PMV450ENEA60 V, N-channel Trench MOSFET23 March 2016 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Logic level compatible Very fast switching Trench MOSFET technology ElectroStatic Disc
pmv45en.pdf
PMV45ENTrenchMOS enhanced logic level FETRev. 01 15 January 2003 Product dataM3D0881. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.Product availability:PMV45EN in SOT23.1.2 Features Surface mount package Fast switching.1.3 Applications Battery management High speed switch.1
pmv45en2.pdf
PMV45EN230 V, N-channel Trench MOSFET3 June 2014 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Logic level compatible Very fast switching Trench MOSFET technology Enhanced power dissipa
pmv45en.pdf
Product specificationPMV45ENN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 2 7 November 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications.
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
