PMV450ENEA - аналоги и даташиты транзистора

 

PMV450ENEA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PMV450ENEA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.323 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для PMV450ENEA

 

PMV450ENEA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:727K  nxp
 pmv450enea.pdf pdf_icon

PMV450ENEA

PMV450ENEA 60 V, N-channel Trench MOSFET 23 March 2016 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Logic level compatible Very fast switching Trench MOSFET technology ElectroStatic Disc

 9.1. Size:238K  philips
 pmv45en.pdf pdf_icon

PMV450ENEA

PMV45EN TrenchMOS enhanced logic level FET Rev. 01 15 January 2003 Product data M3D088 1. Product profile 1.1 Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. Product availability PMV45EN in SOT23. 1.2 Features Surface mount package Fast switching. 1.3 Applications Battery management High speed switch. 1

 9.2. Size:463K  nxp
 pmv45en2.pdf pdf_icon

PMV450ENEA

PMV45EN2 30 V, N-channel Trench MOSFET 3 June 2014 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Logic level compatible Very fast switching Trench MOSFET technology Enhanced power dissipa

 9.3. Size:204K  tysemi
 pmv45en.pdf pdf_icon

PMV450ENEA

Product specification PMV45EN N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 2 7 November 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... PMV28ENEA , PMV28UNEA , PMV30ENEA , PMV30XPA , PMV30XPEA , PMV35EPE , PMV37ENEA , PMV42ENE , IRF1010E , PMV48XPA2 , PMV52ENEA , PMV55ENEA , PMV60ENEA , PMV65ENEA , PMV74EPE , PMV88ENEA , PMV90ENE .

 

 
Back to Top

 


 
.