PSMN6R0-25YLD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PSMN6R0-25YLD  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 61 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 598 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00675 Ohm

Тип корпуса: SOT669

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PSMN6R0-25YLD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PSMN6R0-25YLD даташит

 ..1. Size:721K  nxp
 psmn6r0-25yld.pdf pdf_icon

PSMN6R0-25YLD

PSMN6R0-25YLD N-channel 25 V, 6.75 m logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPowerS3 Technology 6 April 2016 Product data sheet 1. General description Logic level gate drive N-channel enhancement mode MOSFET in LFPAK56 package. NextPowerS3 portfolio utilising Nexperia s unique SchottkyPlus technology delivers high efficiency, low spiking performance usually associated with MOSF

 2.1. Size:910K  nxp
 psmn6r0-25ylb.pdf pdf_icon

PSMN6R0-25YLD

PSMN6R0-25YLB N-channel 25 V 6.1 m logic level MOSFET in LFPAK using NextPower technology Rev. 2 31 October 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level enhancement mode N-channel MOSFET in LFPAK package. This product is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic equipment. 1.2 Features and benef

 6.1. Size:383K  philips
 psmn6r0-30yl.pdf pdf_icon

PSMN6R0-25YLD

PSMN6R0-30YL N-channel 30 V 6 m logic level MOSFET in LFPAK Rev. 04 10 March 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in industrial and communications applications. 1.2 Features and benefit

 6.2. Size:324K  nxp
 psmn6r0-30yld.pdf pdf_icon

PSMN6R0-25YLD

PSMN6R0-30YLD N-channel 30 V, 6.0 m logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPowerS3 Technology 10 February 2014 Product data sheet 1. General description Logic level gate drive N-channel enhancement mode MOSFET in LFPAK56 package. NextPowerS3 portfolio utilising NXP s unique SchottkyPlus technology delivers high efficiency, low spiking performance usually associated with MOSFET

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PSMN3R5-25MLD, PSMN3R5-40YSD, PSMN3R9-100YSF, PSMN4R1-60YL, PSMN5R2-60YL, PSMN5R3-25MLD, PSMN5R4-25YLD, PSMN5R6-60YL, 20N60, PSMN6R4-30MLD, PSMN6R5-30MLD, PSMN6R7-40MLD, PSMN6R7-40MSD, PSMN6R9-100YSF, PSMN7R5-60YL, PSMN8R0-80YL, PSMN8R5-100ESF