FDMT80040DC. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDMT80040DC

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 420 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 5540 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00056 Ohm

Тип корпуса: DUALCOOL88

Аналог (замена) для FDMT80040DC

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDMT80040DC даташит

 ..1. Size:507K  onsemi
 fdmt80040dc.pdf pdf_icon

FDMT80040DC

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

 7.1. Size:480K  fairchild semi
 fdmt800152dc.pdf pdf_icon

FDMT80040DC

March 2015 FDMT800152DC N-Channel Dual CoolTM PowerTrench MOSFET 150 V, 72 A, 9.0 m Features General Description Max rDS(on) = 9.0 m at VGS = 10 V, ID = 13 A This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Max rDS(on) = 11.5 m at VGS = 6 V, ID = 11 A Semiconductor s advanced PowerTrench process. Advanced Package and Silicon combination for low rDS(on) Advancements in bo

 7.2. Size:364K  fairchild semi
 fdmt800150dc.pdf pdf_icon

FDMT80040DC

February 2015 FDMT800150DC N-Channel Dual CoolTM PowerTrench MOSFET 150 V, 99 A, 6.5 m Features General Description Max rDS(on) = 6.5 m at VGS = 10 V, ID = 15 A This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Max rDS(on) = 8.4 m at VGS = 6 V, ID = 13 A Semiconductor s advanced PowerTrench process. Advanced Package and Silicon combination for low rDS(on) Advancements in

 7.3. Size:366K  fairchild semi
 fdmt800100dc.pdf pdf_icon

FDMT80040DC

February 2015 FDMT800100DC N-Channel Dual CoolTM PowerTrench MOSFET 100 V, 162 A, 2.95 m Features General Description Max rDS(on) = 2.95 m at VGS = 10 V, ID = 24 A This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Max rDS(on) = 4.46 m at VGS = 6 V, ID = 19 A Semiconductor s advanced PowerTrench process. Advanced Package and Silicon combination for low rDS(on) Advancements

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FDMS86181, FDMS86182, FDMS86183, FDMS86368-F085, FDMS86369-F085, FDMS86381-F085, FDMS86581, FDMS8D8N15C, IRLB4132, FDN028N20, FDN304P2, FDN5632N-F085, FDP030N06B_F102, FDP2710-F085, FDPC3D5N025X9D, FDPC8014AS, FDPF7N50U_G