FQA9N90_F109 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FQA9N90_F109
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 240 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8.6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 55 nC
Время нарастания (tr): 100 ns
Выходная емкость (Cd): 200 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.3 Ohm
Тип корпуса: TO-3PN
Аналог (замена) для FQA9N90_F109
FQA9N90_F109 Datasheet (PDF)
fqa9n90 f109.pdf
April 2013FQA9N90_F109N-Channel QFET MOSFET900 V, 8.6 A, 1.3 Features Description 8.6 A, 900 V, RDS(on) = 1.3 (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 4.3 A This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductors proprietary planar Low Gate Charge (Typ. 55 nC)stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET Low Crss (Typ. 25 pF)techn
fqa9n90c.pdf
July 2007 QFETFQA9N90C 900V N-Channel MOSFETFeatures Description 9A, 900V, RDS(on) = 1.4 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect Low gate charge ( typical 45 nC) transistors are produced using Fairchilds proprietary, planarstripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 14pF)This advanced technology has been especially tailored to Fa
fqa9n90c f109.pdf
July 2007 QFETFQA9N90C_F109900V N-Channel MOSFETFeatures Description 9A, 900V, RDS(on) = 1.4 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect Low gate charge ( typical 45 nC) transistors are produced using Fairchilds proprietary, planarstripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 14pF)This advanced technology has been especially tailored to
fqa9n90c f109.pdf
April 2014FQA9N90C_F109 N-Channel QFET MOSFET 900 V, 9 A, 1.4 Features Description 9 A, 900 V, RDS(on) = 1.4 (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 4.5 AThis N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductors proprietary planar Low Gate Charge (Typ. 45 nC)stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET Low Crss . 14 pF)technology
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
