Справочник MOSFET. FQA9N90_F109

 

FQA9N90_F109 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQA9N90_F109
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 240 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 55 nC
   trⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PN
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FQA9N90_F109 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1054K  fairchild semi
 fqa9n90 f109.pdf pdf_icon

FQA9N90_F109

April 2013FQA9N90_F109N-Channel QFET MOSFET900 V, 8.6 A, 1.3 Features Description 8.6 A, 900 V, RDS(on) = 1.3 (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 4.3 A This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductors proprietary planar Low Gate Charge (Typ. 55 nC)stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET Low Crss (Typ. 25 pF)techn

 ..2. Size:1104K  onsemi
 fqa9n90 f109.pdf pdf_icon

FQA9N90_F109

 7.1. Size:799K  fairchild semi
 fqa9n90c.pdf pdf_icon

FQA9N90_F109

July 2007 QFETFQA9N90C 900V N-Channel MOSFETFeatures Description 9A, 900V, RDS(on) = 1.4 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect Low gate charge ( typical 45 nC) transistors are produced using Fairchilds proprietary, planarstripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 14pF)This advanced technology has been especially tailored to Fa

 7.2. Size:804K  fairchild semi
 fqa9n90c f109.pdf pdf_icon

FQA9N90_F109

July 2007 QFETFQA9N90C_F109900V N-Channel MOSFETFeatures Description 9A, 900V, RDS(on) = 1.4 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect Low gate charge ( typical 45 nC) transistors are produced using Fairchilds proprietary, planarstripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 14pF)This advanced technology has been especially tailored to

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: HY1808AB | HY1607MF | STQ1NK80ZR-AP | FQB16N25TM | HY3403V | FQB19N10TM | STS4DNFS30L

 

 
Back to Top

 


 
.