FQA9N90_F109. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQA9N90_F109

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 240 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm

Тип корпуса: TO-3PN

Аналог (замена) для FQA9N90_F109

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQA9N90_F109 даташит

 ..1. Size:1054K  fairchild semi
 fqa9n90 f109.pdf pdf_icon

FQA9N90_F109

April 2013 FQA9N90_F109 N-Channel QFET MOSFET 900 V, 8.6 A, 1.3 Features Description 8.6 A, 900 V, RDS(on) = 1.3 (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 4.3 A This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor s proprietary planar Low Gate Charge (Typ. 55 nC) stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET Low Crss (Typ. 25 pF) techn

 ..2. Size:1104K  onsemi
 fqa9n90 f109.pdf pdf_icon

FQA9N90_F109

 7.1. Size:799K  fairchild semi
 fqa9n90c.pdf pdf_icon

FQA9N90_F109

July 2007 QFET FQA9N90C 900V N-Channel MOSFET Features Description 9A, 900V, RDS(on) = 1.4 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect Low gate charge ( typical 45 nC) transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 14pF) This advanced technology has been especially tailored to Fa

 7.2. Size:804K  fairchild semi
 fqa9n90c f109.pdf pdf_icon

FQA9N90_F109

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FQA10N80C-F109, FQA11N90-F109, FQA13N50C-F109, FQA13N80-F109, FQA6N90C-F109, FQA7N80C-F109, FQA8N90C-F109, FQA90N15-F109, 20N50, FQA9N90C_F109, FQB5N60CTM_WS, FQB7P20TM_F085, FQB8N90C, FQD3N60CTM-WS, FQD4P25TM-WS, FQD8P10TM-F085, FQT1N80TF-WS