HUFA76429D3ST-F085. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HUFA76429D3ST-F085

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 134 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm

Тип корпуса: TO-252AA

Аналог (замена) для HUFA76429D3ST-F085

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HUFA76429D3ST-F085 даташит

 0.1. Size:372K  onsemi
 hufa76429d3st-f085.pdf pdf_icon

HUFA76429D3ST-F085

HUFA76429D3ST-F085 20A, 60V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs Packaging Features Ultra Low On-Resistance JEDEC TO-252AA - rDS(ON) = 0.023 , VGS = 10V - rDS(ON) = 0.027 , VGS = 5V DRAIN (FLANGE) Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE and SABER Electriecal Models GATE - Spice and SABER Thermal Impedance Models SOURCE - ww

 1.1. Size:144K  fairchild semi
 hufa76429d3s hufa76429d3st.pdf pdf_icon

HUFA76429D3ST-F085

HUFA76429D3, HUFA76429D3S Data Sheet December 2001 20A, 60V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs Packaging JEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AA Features Ultra Low On-Resistance DRAIN - rDS(ON) = 0.023 , VGS = 10V SOURCE (FLANGE) DRAIN - rDS(ON) = 0.027 , VGS = 5V GATE Simulation Models GATE - Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCE El

 3.1. Size:229K  fairchild semi
 hufa76429d3.pdf pdf_icon

HUFA76429D3ST-F085

HUFA76429D3, HUFA76429D3S Data Sheet December 2001 20A, 60V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs Packaging JEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AA Features Ultra Low On-Resistance DRAIN - rDS(ON) = 0.023 , VGS = 10V SOURCE (FLANGE) DRAIN - rDS(ON) = 0.027 , VGS = 5V GATE Simulation Models GATE - Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCE El

 3.2. Size:638K  onsemi
 hufa76429d3.pdf pdf_icon

HUFA76429D3ST-F085

HUFA76429D3 Data Sheet October 2013 N-Channel Logic Level UltraFET Power MOSFET 60 V, 20 A, 27 m Packaging Features JEDEC TO-251AA Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.023 , VGS = 10V SOURCE - rDS(ON) = 0.027 , VGS = 5V DRAIN GATE Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE and SABER Electriecal Models DRAIN - Spice and SABER Thermal Impedance Models

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FQB5N60CTM_WS, FQB7P20TM_F085, FQB8N90C, FQD3N60CTM-WS, FQD4P25TM-WS, FQD8P10TM-F085, FQT1N80TF-WS, HUF76629D3ST-F085, IRFB31N20D, NCV8403B, NID9N05BCL, NTB004N10G, NTB095N65S3HF, NTB110N65S3HF, NTB150N65S3HF, NTB190N65S3HF, NTBG020N120SC1