HUFA76429D3ST-F085 - аналоги и даташиты транзистора

 

HUFA76429D3ST-F085 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HUFA76429D3ST-F085
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 134 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: TO-252AA
 

 Аналог (замена) для HUFA76429D3ST-F085

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HUFA76429D3ST-F085 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:372K  onsemi
 hufa76429d3st-f085.pdf pdf_icon

HUFA76429D3ST-F085

HUFA76429D3ST-F085 20A, 60V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETsPackagingFeatures Ultra Low On-ResistanceJEDEC TO-252AA- rDS(ON) = 0.023, VGS = 10V- rDS(ON) = 0.027, VGS = 5VDRAIN (FLANGE) Simulation Models- Temperature Compensated PSPICE and SABER Electriecal ModelsGATE- Spice and SABER Thermal Impedance ModelsSOURCE- ww

 1.1. Size:144K  fairchild semi
 hufa76429d3s hufa76429d3st.pdf pdf_icon

HUFA76429D3ST-F085

HUFA76429D3, HUFA76429D3SData Sheet December 200120A, 60V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETsPackagingJEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AAFeatures Ultra Low On-ResistanceDRAIN- rDS(ON) = 0.023, VGS = 10VSOURCE (FLANGE)DRAIN- rDS(ON) = 0.027, VGS = 5VGATE Simulation ModelsGATE- Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCEEl

 3.1. Size:229K  fairchild semi
 hufa76429d3.pdf pdf_icon

HUFA76429D3ST-F085

HUFA76429D3, HUFA76429D3SData Sheet December 200120A, 60V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETsPackagingJEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AAFeatures Ultra Low On-ResistanceDRAIN- rDS(ON) = 0.023, VGS = 10VSOURCE (FLANGE)DRAIN- rDS(ON) = 0.027, VGS = 5VGATE Simulation ModelsGATE- Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCEEl

 3.2. Size:638K  onsemi
 hufa76429d3.pdf pdf_icon

HUFA76429D3ST-F085

HUFA76429D3Data Sheet October 2013N-Channel Logic Level UltraFET Power MOSFET60 V, 20 A, 27 mPackagingFeaturesJEDEC TO-251AA Ultra Low On-Resistance- rDS(ON) = 0.023, VGS = 10VSOURCE- rDS(ON) = 0.027, VGS = 5VDRAINGATE Simulation Models- Temperature Compensated PSPICE and SABERElectriecal ModelsDRAIN - Spice and SABER Thermal Impedance Models

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQB5N60CTM_WS , FQB7P20TM_F085 , FQB8N90C , FQD3N60CTM-WS , FQD4P25TM-WS , FQD8P10TM-F085 , FQT1N80TF-WS , HUF76629D3ST-F085 , IRFB31N20D , NCV8403B , NID9N05BCL , NTB004N10G , NTB095N65S3HF , NTB110N65S3HF , NTB150N65S3HF , NTB190N65S3HF , NTBG020N120SC1 .

 

 
Back to Top

 


 
.