NTHD4P02F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTHD4P02F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.155 Ohm

Тип корпуса: CHIPFET

Аналог (замена) для NTHD4P02F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTHD4P02F даташит

 ..1. Size:83K  onsemi
nthd4p02f nthd4p02ft1g.pdfpdf_icon

NTHD4P02F

NTHD4P02F Power MOSFET and Schottky Diode -20 V, -3.0 A, Single P-Channel with 3.0 A Schottky Barrier Diode, ChipFETt Features http //onsemi.com Leadless SMD Package Featuring a MOSFET and Schottky Diode MOSFET 40% Smaller than TSOP-6 Package with Similar Thermal V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Characteristics -130 mW @ -4.5 V Independent Pinout to each Device to Ease Circu

 ..2. Size:83K  onsemi
nthd4p02f.pdfpdf_icon

NTHD4P02F

NTHD4P02F Power MOSFET and Schottky Diode -20 V, -3.0 A, Single P-Channel with 3.0 A Schottky Barrier Diode, ChipFETt Features http //onsemi.com Leadless SMD Package Featuring a MOSFET and Schottky Diode MOSFET 40% Smaller than TSOP-6 Package with Similar Thermal V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Characteristics -130 mW @ -4.5 V Independent Pinout to each Device to Ease Circu

 9.1. Size:72K  onsemi
nthd4n02f-d nthd4n02ft1.pdfpdf_icon

NTHD4P02F

NTHD4N02F Power MOSFET and Schottky Diode 20 V, 3.9 A, N-Channel, with 3.7 A Schottky Barrier Diode, ChipFETt http //onsemi.com Features Leadless SMD Package Featuring a MOSFET and Schottky Diode MOSFET 40% Smaller than TSOP-6 Package with Better Thermals V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Super Low Gate Charge MOSFET 60 mW @ 4.5 V Ultra Low VF Schottky 20 V 3.9 A 80 mW @

 9.2. Size:74K  onsemi
nthd4401p-d.pdfpdf_icon

NTHD4P02F

NTHD4401P Power MOSFET -20 V, -3.0 A, Dual P-Channel, ChipFETt Features Low RDS(on) and Fast Switching Speed in a ChipFET Package http //onsemi.com Leadless ChipFET Package 40% Smaller Footprint than TSOP-6 ChipFET Package with Excellent Thermal Capabilities where Heat Transfer is Required V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Pb-Free Package is Available 130 mW @ -4.5 V -20 V

Другие IGBT... NTDV18N06L, NTH027N65S3F, NTH4L020N120SC1, NTH4L027N65S3F, NTH4L040N120SC1, NTH4L040N65S3F, NTH4L080N120SC1, NTH4L160N120SC1, IRFB4110, NTHL020N090SC1, NTHL020N120SC1, NTHL027N65S3HF, NTHL033N65S3HF, NTHL040N120SC1, NTHL040N65S3HF, NTHL050N65S3HF, NTHL060N090SC1