NTHD4P02F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: NTHD4P02F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.155 Ohm
Тип корпуса: CHIPFET
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
NTHD4P02F Datasheet (PDF)
nthd4p02f nthd4p02ft1g.pdf

NTHD4P02FPower MOSFET andSchottky Diode-20 V, -3.0 A, Single P-Channel with3.0 A Schottky Barrier Diode, ChipFETtFeatureshttp://onsemi.com Leadless SMD Package Featuring a MOSFET and Schottky DiodeMOSFET 40% Smaller than TSOP-6 Package with Similar ThermalV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAXCharacteristics-130 mW @ -4.5 V Independent Pinout to each Device to Ease Circu
nthd4p02f.pdf

NTHD4P02FPower MOSFET andSchottky Diode-20 V, -3.0 A, Single P-Channel with3.0 A Schottky Barrier Diode, ChipFETtFeatureshttp://onsemi.com Leadless SMD Package Featuring a MOSFET and Schottky DiodeMOSFET 40% Smaller than TSOP-6 Package with Similar ThermalV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAXCharacteristics-130 mW @ -4.5 V Independent Pinout to each Device to Ease Circu
nthd4n02f-d nthd4n02ft1.pdf

NTHD4N02FPower MOSFET andSchottky Diode20 V, 3.9 A, N-Channel, with 3.7 ASchottky Barrier Diode, ChipFETthttp://onsemi.comFeatures Leadless SMD Package Featuring a MOSFET and Schottky DiodeMOSFET 40% Smaller than TSOP-6 Package with Better ThermalsV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Super Low Gate Charge MOSFET60 mW @ 4.5 V Ultra Low VF Schottky 20 V 3.9 A80 mW @
nthd4401p-d.pdf

NTHD4401PPower MOSFET-20 V, -3.0 A, Dual P-Channel, ChipFETtFeatures Low RDS(on) and Fast Switching Speed in a ChipFET Packagehttp://onsemi.com Leadless ChipFET Package 40% Smaller Footprint than TSOP-6 ChipFET Package with Excellent Thermal Capabilities where HeatTransfer is RequiredV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Pb-Free Package is Available130 mW @ -4.5 V-20 V
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
History: MCH3484 | DMN30H4D0L
History: MCH3484 | DMN30H4D0L



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sd357 | 110n8f6 mosfet datasheet | 2sc458 datasheet | irfz48 | bf494 transistor equivalent | 2sc458 pinout | bc183l | tip35 datasheet