Справочник MOSFET. NTHD4P02F

 

NTHD4P02F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTHD4P02F
   Маркировка: C3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 3 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.155 Ohm
   Тип корпуса: CHIPFET
 

 Аналог (замена) для NTHD4P02F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTHD4P02F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:83K  onsemi
nthd4p02f nthd4p02ft1g.pdfpdf_icon

NTHD4P02F

NTHD4P02FPower MOSFET andSchottky Diode-20 V, -3.0 A, Single P-Channel with3.0 A Schottky Barrier Diode, ChipFETtFeatureshttp://onsemi.com Leadless SMD Package Featuring a MOSFET and Schottky DiodeMOSFET 40% Smaller than TSOP-6 Package with Similar ThermalV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAXCharacteristics-130 mW @ -4.5 V Independent Pinout to each Device to Ease Circu

 ..2. Size:83K  onsemi
nthd4p02f.pdfpdf_icon

NTHD4P02F

NTHD4P02FPower MOSFET andSchottky Diode-20 V, -3.0 A, Single P-Channel with3.0 A Schottky Barrier Diode, ChipFETtFeatureshttp://onsemi.com Leadless SMD Package Featuring a MOSFET and Schottky DiodeMOSFET 40% Smaller than TSOP-6 Package with Similar ThermalV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAXCharacteristics-130 mW @ -4.5 V Independent Pinout to each Device to Ease Circu

 9.1. Size:72K  onsemi
nthd4n02f-d nthd4n02ft1.pdfpdf_icon

NTHD4P02F

NTHD4N02FPower MOSFET andSchottky Diode20 V, 3.9 A, N-Channel, with 3.7 ASchottky Barrier Diode, ChipFETthttp://onsemi.comFeatures Leadless SMD Package Featuring a MOSFET and Schottky DiodeMOSFET 40% Smaller than TSOP-6 Package with Better ThermalsV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Super Low Gate Charge MOSFET60 mW @ 4.5 V Ultra Low VF Schottky 20 V 3.9 A80 mW @

 9.2. Size:74K  onsemi
nthd4401p-d.pdfpdf_icon

NTHD4P02F

NTHD4401PPower MOSFET-20 V, -3.0 A, Dual P-Channel, ChipFETtFeatures Low RDS(on) and Fast Switching Speed in a ChipFET Packagehttp://onsemi.com Leadless ChipFET Package 40% Smaller Footprint than TSOP-6 ChipFET Package with Excellent Thermal Capabilities where HeatTransfer is RequiredV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Pb-Free Package is Available130 mW @ -4.5 V-20 V

Другие MOSFET... NTDV18N06L , NTH027N65S3F , NTH4L020N120SC1 , NTH4L027N65S3F , NTH4L040N120SC1 , NTH4L040N65S3F , NTH4L080N120SC1 , NTH4L160N120SC1 , IRF640N , NTHL020N090SC1 , NTHL020N120SC1 , NTHL027N65S3HF , NTHL033N65S3HF , NTHL040N120SC1 , NTHL040N65S3HF , NTHL050N65S3HF , NTHL060N090SC1 .

History: NCE6990 | CS11N65P

 

 
Back to Top

 


 
.