NTMFD6H852NL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTMFD6H852NL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 69 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0255 Ohm

Тип корпуса: DFN8-5X6

Аналог (замена) для NTMFD6H852NL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTMFD6H852NL даташит

 ..1. Size:127K  onsemi
 ntmfd6h852nl.pdf pdf_icon

NTMFD6H852NL

NTMFD6H852NL Power MOSFET 80 V, 25.5 mW, 25 A, Dual N-Channel Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses www.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted) 25.5 mW @ 10 V Para

 6.1. Size:126K  1
 ntmfd6h840nlt1g.pdf pdf_icon

NTMFD6H852NL

NTMFD6H840NL Power MOSFET 80 V, 6.9 mW, 74 A, Dual N-Channel Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses www.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted) 6.9 mW @ 10 V Parame

 6.2. Size:202K  1
 ntmfd6h846nlt1g.pdf pdf_icon

NTMFD6H852NL

MOSFET - Power, Dual N-Channel 80 V, 15 mW, 31 A NTMFD6H846NL Features www.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant 15 mW @ 10 V 80 V 31 A MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise n

 6.3. Size:126K  onsemi
 ntmfd6h840nl.pdf pdf_icon

NTMFD6H852NL

NTMFD6H840NL Power MOSFET 80 V, 6.9 mW, 74 A, Dual N-Channel Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses www.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted) 6.9 mW @ 10 V Parame

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NTMFD5C466N, NTMFD5C466NL, NTMFD5C470NL, NTMFD5C650NL, NTMFD5C674NL, NTMFD5C680NL, NTMFD6H840NL, NTMFD6H846NL, AON7506, NTMFS015N10MCL, NTMFS016N06C, NTMFS020N06C, NTMFS024N06C, NTMFS08N003C, NTMFS0D55N03CG, NTMFS0D8N02P1E, NTMFS0D9N03CG