NTMFS5C430N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTMFS5C430N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 106 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 185 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1600 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0017 Ohm

Тип корпуса: DFN5

Аналог (замена) для NTMFS5C430N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTMFS5C430N даташит

 ..1. Size:117K  onsemi
 ntmfs5c430n.pdf pdf_icon

NTMFS5C430N

NTMFS5C430N Power MOSFET 40 V, 1.7 mW, 185 A, Single N-Channel Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses www.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted) V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Parameter Symbol Va

 0.1. Size:77K  1
 ntmfs5c430nlt1g.pdf pdf_icon

NTMFS5C430N

NTMFS5C430NL Power MOSFET 40 V, 1.4 mW, 200 A, Single N-Channel Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses www.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted) 1.4 mW @ 10 V 40

 0.2. Size:174K  1
 ntmfs5c430nlt3g.pdf pdf_icon

NTMFS5C430N

NTMFS5C430NL MOSFET Power, Single, N-Channel 40 V, 1.4 mW, 200 A Features www.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant 1.4 mW @ 10 V 40 V 200 A 2.2 mW @ 4.5 V MAXIMUM RATINGS (TJ =

 0.3. Size:174K  onsemi
 ntmfs5c430nl.pdf pdf_icon

NTMFS5C430N

NTMFS5C430NL MOSFET Power, Single, N-Channel 40 V, 1.4 mW, 200 A Features www.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant 1.4 mW @ 10 V 40 V 200 A 2.2 mW @ 4.5 V MAXIMUM RATINGS (TJ =

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NTMFS4C59N, NTMFS4H013NF, NTMFS5113PL, NTMFS5C404N, NTMFS5C406N, NTMFS5C406NL, NTMFS5C410N, NTMFS5C426N, RU7088R, NTMFS5C430NL, NTMFS5C442N, NTMFS5C450N, NTMFS5C450NL, NTMFS5C456NL, NTMFS5C460NL, NTMFS5C468NL, NTMFS5C609NL