NTMTS001N06CL. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: NTMTS001N06CL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 244 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 398.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 25.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 6225 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00081 Ohm
Тип корпуса: POWER88
Аналог (замена) для NTMTS001N06CL
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
NTMTS001N06CL даташит
ntmts001n06cl.pdf
NTMTS001N06CL Power MOSFET 60 V, 0.81 mW, 398.2 A, Single N-Channel Features Small Footprint (8x8 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses www.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses Power 88 Package, Industry Standard These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Compliant 0.
ntmts0d7n06c.pdf
MOSFET - Power, Single N-Channel, DFNW8 60 V, 0.72 mW, 464 A NTMTS0D7N06C Features www.onsemi.com Small Footprint (8x8 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 60 V 0.72 mW @ 10 V 464 A Typical A
ntmts0d6n04c.pdf
NTMTS0D6N04C Power MOSFET 40 V, 0.48 mW, 533 A, Single N-Channel Features Small Footprint (8x8 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses www.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Typical Applications 40 V 0.48 mW @ 10 V 533
ntmts0d7n06cl.pdf
MOSFET - Power, Single N-Channel 60 V, 0.68 mW, 477 A NTMTS0D7N06CL Features www.onsemi.com Small Footprint (8x8 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Power 88 Package, Industry Standard 0.68 mW @ 10 V These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are Ro
Другие IGBT... NTMFS6H818N, NTMFS6H818NL, NTMFS6H836N, NTMFS6H836NL, NTMFS6H848NL, NTMFS6H852NL, NTMFS6H864NL, NTMFSC0D9N04CL, IRF9540N, NTMTS0D6N04C, NTMTS0D6N04CL, NTMTS0D7N06C, NTMTS0D7N06CL, NTMYS1D2N04CL, NTMYS4D1N06CL, NTND31225CZ, NTNS1K5N021Z
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1 | CRTT067N10N | AP6NA3R2MT | AP65SA145DDT8 | AP4NAR95CMT-A | AP4024GEMT-HF | AP3P050AH
Popular searches
072ne6pt | 2sd388 | 2sc1400 | 2sd331 | 2sc1312 datasheet | 2sb647 | k3561 transistor | c3203 transistor





