NTTFS010N10MCL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NTTFS010N10MCL
Маркировка: N10L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 22 nC
trⓘ - Время нарастания: 3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 625 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0106 Ohm
Тип корпуса: WDFN8
Аналог (замена) для NTTFS010N10MCL
NTTFS010N10MCL Datasheet (PDF)
nttfs010n10mcl.pdf
NTTFS010N10MCLMOSFET, N-Channel,Shielded Gate,POWERTRENCH)100 V, 50 A, 10.6 mWwww.onsemi.comGeneral DescriptionThis N-Channel POWETRENCH MOSFET is produced usingELECTRICAL CONNECTIONON Semiconductors advanced POWERTRENCH process thatincorporates Shielded Gate technology. This process has beenSDoptimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior
nttfs015p03p8z.pdf
NTTFS015P03P8ZMOSFET Power, Single,P-Channel, m8FL-30 V, 7.5 mW Featureswww.onsemi.com Ultra Low RDS(on) to Improve System Efficiency Advanced Package Technology in 3.3x3.3mm for Space Saving andExcellent Thermal ConductionV(BR)DSS RDS(on) ID These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS7.5 mW @ -10 VCompliant-30 V -47.6 A12 mW @ -4.5 V
nttfs016n06c.pdf
MOSFET - Power, SingleN-Channel, m8FL60 V, 16.3 mW, 32 ANTTFS016N06CFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant60 V 16.3 mW @ 10 V 32 ATypica
nttfs015n04c.pdf
NTTFS015N04CMOSFET Power, Single,N-Channel40 V, 17.3 mW, 27 AFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX40 V 17.3 mW @ 10 V 27 AMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherw
Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 60N06 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD | SRN1660F