NVATS4A103PZ datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: NVATS4A103PZ 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 400 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 555 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
Тип корпуса: ATPAK
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для NVATS4A103PZ
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
NVATS4A103PZ даташит
nvats4a103pz.pdf
NVATS4A103PZ Power MOSFET 30 V, 13 m , 60 A, P-Channel The NVATS4A103PZ is a power MOSFET designed for compact size and www.onsemi.com high efficiency which can achieve high thermal performance. AEC-Q101 qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications. VDSS RDS(on) Max ID Max Features 13 m @ 10 V Low On-Resistance 30 V 60A
nvats5a114plz.pdf
NVATS5A114PLZ Power MOSFET 60 V, 16 m , 60 A, P-Channel Automotive Power MOSFET designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. www.onsemi.com AEC-Q101 qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications. Features VDSS RDS(on) Max ID Max Low On-Resistance 16 m @ 10 V High Current Capability 60 V
nvats5a107plz.pdf
NVATS5A107PLZ Power MOSFET 40 V, 17 m , 55 A, P-Channel Automotive Power MOSFET designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. www.onsemi.com AEC-Q101 qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications. Features VDSS RDS(on) Max ID Max Low On-Resistance 17 m @ 10 V High Current Capability 40
nvats5a304plz.pdf
NVATS5A304PLZ Power MOSFET 60 V, 6.5 m , 120 A, P-Channel Automotive Power MOSFET designed for compact and efficient designs and www.onsemi.com including high thermal performance. AEC-Q101 qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications. Features VDSS RDS(on) Max ID Max Low On-Resistance 6.5 m @ 10 V 60 V 120 A High Cu
Другие IGBT... NTTFS6H850N, NTTFS6H850NL, NTTFS6H854NL, NTTFS6H860NL, NTTFS6H880NL, NTTFS8D1N08H, NTUD3174NZ, NTZD3158P, IRFB3206, NVATS5A106PLZ, PM2301, PM2302, PM3400, PM3401, KS2302AA, SI12N60-F, SI12N60
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: HM7N65 | VBE2102M
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
2sc632a | c3856 | 30100 transistor | 2sc1675 | k117 transistor | 2sc2291 | bc139 | 2sc1398









