Справочник MOSFET. PM2301

 

PM2301 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PM2301
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 55(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для PM2301

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PM2301 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:474K  pn silicon
pm2301.pdfpdf_icon

PM2301

PM2301 20V P-Channel MOSFET Description Applications The PM2301 uses advanced Trench technology and designs to provide excellent R with low gate charge. PA Switch DS(ON)This device is suitable for use in PWM, load switching and Load Switch general purpose applications. Marking Information Features TrenchFET Power MOSFET 2301 Dimensions and Pin Configurati

 0.1. Size:169K  sino
apm2301ca.pdfpdf_icon

PM2301

APM2301CA P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -20V/-3ADRDS(ON)= 70m (max.) @ VGS= -4.5VSRDS(ON)= 115m (max.) @ VGS= -2.5VGRDS(ON)= 250m (max.) @ VGS= -1.8V Reliable and RuggedTop View of SOT-23 Lead Free and Green Devices Available( RoHS Compliant)DGApplications Power Management in Notebook Computer,Portable Equipment and

 0.2. Size:229K  lowpower
lpm2301b3f.pdfpdf_icon

PM2301

Preliminary Datasheet LPM2301 LPM2301 -20V/-2A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features -20V/-2.0A,RDS(ON)=170m(typ.)@VGS=-2.5V The LPM2301 is the P-channel logic enhancement -20V/-2.0A,RDS(ON)=130m(typ.)@VGS=-4.5V mode power field effect transistors are produced Super high density cell design for extremely low using high

 0.3. Size:695K  cn shikues
apm2301aac.pdfpdf_icon

PM2301

APM2301AACP-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature DS(ON) GS -20V/-3A R = 120m(MAX) @V = -4.5V. DS(ON) GS R = 150m(MAX) @V = -2.5V. DS(ON) Super High dense cell design for extremely low R Reliable and Rugged SC-59 for Surface Mount Package SC-59 Applications Power Management Portable Equipment and Battery Powered Systems. AT =25 U

Другие MOSFET... NTTFS6H854NL , NTTFS6H860NL , NTTFS6H880NL , NTTFS8D1N08H , NTUD3174NZ , NTZD3158P , NVATS4A103PZ , NVATS5A106PLZ , AO3407 , PM2302 , PM3400 , PM3401 , KS2302AA , SI12N60-F , SI12N60 , SI20N03 , SI25N10 .

History: PV551BA | SISS40DN | IRFR7746 | KU2310Q | SFG180N10PF | TMP4N65AZ | RE1J002YN

 

 
Back to Top

 


 
.