Справочник MOSFET. SI4953

 

SI4953 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4953
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 132 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.059 Ohm
   Тип корпуса: SO8L SOP8
 

 Аналог (замена) для SI4953

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4953 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3156K  cn szxunrui
 si4953.pdf pdf_icon

SI4953

SOP-8L Dual -30V P-Channel PowerTrench MOSFET SI4953DualSI4953 P-Channel -30V(D-S) MOSFETV(BR)DSS RDS(on)MAX IDSOP-8 D2D20.059@-10V.D1-30V -5.3A D10.089@-4.5VG2GS2G1 SSS1SO-8 SPin 1Equivalent Cir cuitD1 D2 General FEATURETrenchFET Power MOSFETLead free product is acquiredSurface mount packageG1 G2 S1 S2 MARKINGAPPLICATION

 0.1. Size:242K  vishay
 si4953ady.pdf pdf_icon

SI4953

Si4953ADYVishay SiliconixDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.053 at VGS = - 10 V - 4.9 TrenchFET Power MOSFETs - 300.090 at VGS = - 4.5 V - 3.7 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC S1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25To

 0.2. Size:51K  vishay
 si4953dy.pdf pdf_icon

SI4953

Si4953DYVishay SiliconixDual P-Channel 30-V(D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD 100% Rg TestedVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.053 @ VGS = -10 V -4.9-30300.095 @ VGS = -4.5 V -3.6S1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25Top ViewD1 D1 D2 D2Ordering Information: Si4953DYSi4953DY-T1 (with Tape and Reel) P-Channel MOSFET P-Channel MOSFETABSOLUTE M

 0.3. Size:1498K  kexin
 si4953ady.pdf pdf_icon

SI4953

SMD Type MOSFETDual P-Channel MOSFETSI4953ADY (KI4953ADY)SOP-8 Unit:mm Features VDS (V) =-30V ID =-4.9 A (VGS =-10V)1.50 0.15 RDS(ON) 53m (VGS =-10V) RDS(ON) 90m (VGS =-4.5V)1 S1 5 D2 6 D22 G17 D13 S28 D14 G2S1 S2G1 G2D1 D1 D2 D2 Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 10 secs Steady State Unit Drain-Sourc

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SI25N10 , SI3400 , SI3401 , SI3403 , SI3406 , SI4260 , SI4430 , SI4614 , IRF1404 , SI4N60-TA3-T , SI4N60-TF3-T , SI4N60-TM3-T , SI4N60-TN3-R , SI4N60-TN3-T , SI4N60L-TA3-T , SI4N60L-TF3-T , SI4N60L-TM3-T .

History: TPH8R008NH | ST2305A | NCE0130A | STD4N90K5 | PTF4N65 | WMB80N06TS | IRFR024A

 

 
Back to Top

 


 
.